济南晶正电子科技有限公司成立于2010年,.docVIP

 产品简介 铌酸锂（LiNbO3）晶体是重要的光电材料, 是集成光学、非线性光学、光电子元器件等领域中应用最广泛, 最重要的基片材料之一。目前, 铌酸锂晶体被广泛应用在声表面波、电光调制、激光调Q、光陀螺、光参量振荡、光参量放大、光全息存储等器件中, 这些器件在手机、电视机、光通讯、激光测距、电场探测器等器件中发挥着重要的作用。 晶正科技生产的铌酸锂单晶薄膜产品, 其晶格结构为单晶, 完全保持了体材料的优秀物理性质, 直径为3英寸, 上层铌酸锂单晶薄膜厚度为300-700纳米, 中层为微米厚的二氧化硅（）, 最下层为0.5毫米厚的铌酸锂衬底。 产品实物图 技术工艺 制作铌酸锂单晶薄膜的主要工艺过程是对铌酸锂进行氦离子注入, 在另一片铌酸锂表面沉积一层二氧化硅并进行抛光处理。然后将这两片键合在一起, 加热后氦离子变成氦气并且体积膨胀, 结果是整个注入层断裂, 脱落下来的铌酸锂薄膜就停留在二氧化硅表面。 应用以上技术制作出的铌酸锂单晶薄膜产品与用其他手段, 比如外延、蒸发等手段得到的铌酸锂薄膜材料相比, 具有质量高、稳定性强等优势 加电极铌酸锂单晶薄膜 工艺流程 对铌酸锂进行氦离子注入，在另一片铌酸锂表面沉积金电极和二氧化硅。将两片键合在一起并加热，氦离子受热变为氦气而体积膨胀，使键合后的结构从氦离子注入层断裂，脱落下来的薄膜停留在二氧化硅表面，最后将铌酸锂单晶薄膜表面抛光。产品的结构从上到下依次为：铌酸锂单晶薄膜，二氧化硅层，金电极，铌酸锂衬底。此产品可用于制作调制器和纳米光学器件，具有体积小，频率高，功耗低，性能稳定等优势。 产品结构 加电极铌酸锂单晶薄膜 工艺流程 对铌酸锂进行氦离子注入，然后在表面沉积铂金电极和二氧化硅。将此与另一片铌酸锂键合在一起并加热，氦离子受热变为氦气而体积膨胀，使键合后的结构从氦离子注入层断裂，脱落下来的薄膜停留在铂金电极表面，最后将铌酸锂单晶薄膜表面抛光。产品的结构从上到下依次为：铌酸锂单晶薄膜，铂金电极，二氧化硅，铌酸锂衬底。此产品可用于制作滤波器和铁电存储器件，具有体积小，功耗低，性能稳定等优势。 产品结构 下游产品 1、集成光学器件。应用微电子技术和薄膜技术在光波导衬底上制作各种光调制器、光开关、光分束器、偏振器、波长滤波器等，可实现光波导集成化器件。铌酸锂晶体制作光波导器件已有很长历史，技术成熟，还可制作集成光学器件用于光纤陀螺，其特点是精度高、稳定性好、成本低。 2、光隔离器。光隔离器是一种只允许单向光通过的无源光器件，其工作原理是基于法拉第旋转的非互易性，隔离器中的起偏和检偏器可用铌酸锂光楔来制作，其特点是光隔离度适中，批量性好，材料制作工艺成熟，成本低，易实现工业化生产。 3、全息存储器件（海量存储器）。利用铌酸锂晶体的光折变性能可制作光学体全息存储器件，有存储容量大，读取速率快，易实现光学相关识别与处理，无运动部件等优点。 4、激光频率转换光学器件。铌酸锂晶体非线性光学系数较大能够实现非临界相位匹配，是一种重要的激光频率转换晶体。 技术参数 Quality: Prime 质量等级: 优 Diameter: 3 inches 直径: 3英寸 Product description: Single-crystal LN thin film/ layer/LN substrate 产品描述: 铌酸锂单晶薄膜/二氧化硅层/铌酸锂基底 Top LN layer 顶层铌酸锂薄膜 Parameter 参数 Value 数值 Remarks 备注 Fabrication methods 制备方法 Wafer direct bonding and ion implantation 直接键合及离子注入 Metrology edge exclusion 边缘5mm不计在内 5 mm Orientation 晶向 +Z ±0.3o Data from primary LN wafer manufacturer 数据由铌酸锂原片制造商提供 Primary flat 主平面（长切边） Normal to -Y ±0.3o 垂直于-Y ±0.3o Data from primary LN wafer manufacturer 数据由铌酸锂原片制造商提供 Secondary flat 次平面（短切边） 90o ±1o clockwise from the primary flat when viewing the +Z face +Z 面朝上时，从长切边顺时针旋转90o ±1o Data fro