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三、系统组装维护：内存 0. 本章知识脉络 内存技术发展简史 内存的性能指标 内存品牌与选购 1. 内存技术发展简史 80286时代 9片30pin DIP芯片构成的FPM DRAM（快页式内存） 存取速度60ns，工作电压5V 386、486时代 EDO内存（Extended Data Out）扩展数据输出内存 存取速度40ns，工作电压3.3V 内存条金手指数量有72线和168线两种 1. 内存技术发展简史 Pentium——Pentium 4 以前 SDRAM（Synchronous Dynamic RAM ） 同步动态内存 自此时起，内存的工作频率=CPU外频 PC66、PC100、PC133…… 168线、3.3V电压、可单条、多条组合使用 1. 内存技术发展简史 RDRAM 与 DDR RAM 之争 随着Pentium 4平台的发布，Intel为了达到独占市场的目的，与Rambus联合在PC市场推广Rambus DRAM内存（称为RDRAM内存）。 SDRAM不同的是，其采用了新一代高速简单内存架构，可以减少数据的复杂性，使得整个系统性能得到提高。 RDRAM在时钟上下沿均可传输数据，使用400MHz 16位总线，实际速度可达800MHz 1. 内存技术发展简史 RDRAM 与 DDR RAM 之争 由于RDRAM的工艺复杂，导致价格过高，而且Rambus公司还要收取相应的版权收费。于是其它厂家根据Rambus双向脉冲的特点，提出了DDR SDRAM，也就是我们现在最主流的内存条 DDR SDRAM（Dual Date Rate SDRAM）简称DDR，也就是“双倍速率SDRAM”的意思 DDR生产成本低，性能好，很快占据了市场二者的竞争以RDRAM的失败而告终 1. 内存技术发展简史 DDR内存主要特性 金手指数目：184 工作电压 ：2.5V 工作频率 ：DDR200、DDR266、DDR333、 DDR400、DDR533 1. 内存技术发展简史 DDR 2 由于采用4位预取技术，可在一个时钟周期内处理4位数据，因此DDR2的速度又是DDR的两倍 金手指数目：240 工作电压 ：1.8V 工作频率 ：DDR400、DDR1000、DDR1066 2. 内存的性能指标 容量 tCK 时钟周期 标志内存的存取速度，单位是纳秒，DDR可达10ns CAS Latency简称CL 标志内存的“定位”速度 SPD芯片 存储内存容量、厂商、参数等的EEPROM芯片 ECC校验 循环冗余校验 2. 内存的性能指标 总线频率和数据带宽 总线宽度是指内存同时传输数据的位数，以bit为单位 数据带宽=（总线频率×总线宽度）/8 数据带宽的单位通常是GB/s 或 MB/s 如某DDR内存总线宽度为64bits总线频率为400MHz则其数据带宽=（ 400×64 ）/8=3.2GB/s 该参数标志着内存一秒钟和CPU传输的最大数据量 2. 内存的性能指标 双通道 两条同容量同型号内存“并联” 扩展数据线宽度 例，某型号64位 Pentium 4 CPU FSB=800MHz 前端数据带宽可达6.4GB/s 若使用64位的DDR400内存，单条带宽为3.2GB/s 则不能充分发挥CPU的性能 若使用两条该内存，数据线宽度变为128bit 则刚好满足6.4GB/s的带宽需求 双通道需要主板芯片组的支持（Intel 865、915、925） 3.内存品牌与选购 三星（SAMSUNG） 胜创（KINGMAX） 金士顿（Kingston） * *