晶圆制造工艺-ETCH.doc

晶圆制造工艺流程 1、表面清洗 2、初次氧化 3、CVD(Chemical?Vapor?deposition)?法沉积一层Si3N4?(Hot?CVD?或LPCVD)?。 （1）常压CVD?(Normal?Pressure?CVD)? （2）低压CVD?(Low?Pressure?CVD)? （3）热CVD?(Hot?CVD)/(thermal?CVD)? （4）电浆增强CVD?(Plasma?Enhanced?CVD)? （5）MOCVD?(Metal?Organic???CVD)??分子磊晶成长(Molecular?Beam?Epitaxy)? （6）外延生长法?(LPE)? 4、涂敷光刻胶? （1）光刻胶的涂敷? （2）预烘(pre?bake)? （3）曝光 （4）显影 （5）后烘(post?bake)? （6）腐蚀(etching)? （7）光刻胶的去除 5、此处用干法氧化法将氮化硅去除 6?、离子布植将硼离子(B+3)?透过SiO2?膜注入衬底，形成P?型阱 7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理 8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5)?离子，形成N?型阱 9、退火处理，然后用HF?去除SiO2?层 10、干法氧化法生成一层SiO2?层，然后LPCVD?沉积一层氮化硅 11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层 12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的SiO2?层，形成PN?之间的隔离区 13、热磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除栅隔离层位置的SiO2，并重新生成品质更好的SiO2薄膜,作为栅极氧化层。 14、LPCVD?沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成SiO2?保护层。 15、表面涂敷光阻，去除P?阱区的光阻，注入砷(As)?离子，形成NMOS?的源漏极。用同样的方法，在N?阱区，注入B? 离子形成PMOS?的源漏极。 16、利用PECVD?沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。 17、沉积掺杂硼磷的氧化层 18、濺镀第一层金属 （1）薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于1um?。 （2）真空蒸发法（Evaporation?Deposition?） （3）溅镀（Sputtering?Deposition?） ?19、光刻技术定出?VIA?孔洞，沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。然后，用PECVD?法氧化层和氮化硅保护层。 ?20、光刻和离子刻蚀，定出PAD?位置? 21、最后进行退火处理，以保证整个Chip?的完整和连线的连接性?? 晶圆制造总的工艺流程 ? 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer?Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer?Probe）、构装工序（Packaging）、测试工序（Initial?Test?and?Final?Test）等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（Front?End）工序，而构装工序、测试工序为后段（Back?End）工序。 ?1、晶圆处理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。 ?2、晶圆针测工序：经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般情况下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。 3、构装工序：就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片（即我们在电脑里可以看到的那些黑色或 褐色，两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块）。 4、测试工序：芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数，从相近参数规格、品种中拿出部分芯片，做有针对性的专门测试，看是否能满足客户的特殊需求，以决定是否须为客户设计专用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而