招标邀请书-吉林大学招标与采购管理中心.doc

招 标 邀 请 书 一、招标采购项目编号： JDCG2015-653 二、招标采购项目：吉林大学 等离子体辅助类金刚石薄膜沉积系统 三、项目预算（人民币）：140万元（进口产品预算含进口代理、清关等费用及汇率差额，合计约占预算金额的5%） 四、招标采购内容 （一）设备购置明细（名称、数量、详细技术指标、配置及要求） 等离子体辅助类金刚石薄膜沉积系统 1台 1. 技术指标 要求能够实现在12英寸单晶硅衬底上制备高质量类金刚石薄膜，同时也能制备高质量SiOx，SiNx，氮氧化合物与碳化物薄膜等功能性薄膜。通过调节生长气氛和制备工艺参数，满足高质量沉积上述薄膜且满足薄膜的厚度均一、沉积薄膜表面平整和致密性，沉积薄膜可控制备和速率快、重复率高等要求。具体技术指标如下： 1.1 整机所有设备模块均要求原装进口，设备零部件都要满足国外相关产品质量标准。 1.2 真空腔室： 1.2.1 双真空腔室(等离子辅助薄膜生长腔和反应离子刻蚀腔)； 1.2.2 真空生长腔室直径不低于18英寸； 1.2.3 采用304优质不锈钢； 1.2.4 筒式上开门结构； 1.2.5 模块双片式腔体设计，便于设备保养与升级； 1.2.6 使用标规真空硬件(法兰)与真空腔体观察窗。 1.3 反应离子刻蚀腔室： 1.3.1 水冷式304不锈钢材质的反应离子刻蚀下部电极； 1.3.2 基板托架设计，利于基板样品置放与清洁； 1.3.3 无中央抽气口设计，可完整置放基板； 1.3.4 配置高周波等离子暗区遮板，可有效聚集等离子与防止溅射； 1.3.5 高均匀性与平衡的真空排气设计； 1.3.6 防止基板位移的凸缘设计； 1.3.7 水冷式上部接地电极； 1.3.8 工作距离/高度可调式设计； 1.3.9 可更换式气体扩散装置，利于制程优化； 1.3.10 上部电极比下部电极要至少大2倍，能准确实现反应离子刻蚀效果。 1.4 真空生长腔室： 1.4.1 样品台不低于12英寸； 1.4.2 基片加热温度在室温～700℃可控，控制精度±5℃，最大升温速率不低于100℃/min； 1.4.3 加热式基板台接地设计-两千瓦热阻式加热器，采用PID智能温控仪调节控温，快速且均匀的加热设计，热均匀区直径不低于8英寸； 1.4.4 基板托架尺寸要＞32cm，无中央抽气口设计，可完整置放基板，基板安装在真空腔室的底部，利于基板样品置放与清洁； 1.4.5 精确与直接的热电偶测温与温度闭回路控制设计； 1.4.6 防止基板位移的凸缘设计； 1.4.7 工作距离/高度可调式设计。水冷式上部电极； 1.4.8 可更换式气体扩散装置，利于制程优化，活动部分安装在顶部活法兰上，手动上下距离可调节、拆卸方便，采用304不锈钢材质； 1.4.9 高均匀性与平衡的真空排气设计。 1.5 真空系统 1.5.1 配置防腐机械泵及真空阀门等系统组成，排气速度33cfm (立方英寸/每分钟) -两段式压缩-双腔体共享； 1.5.2 真空系统采用抗腐蚀型，等离子体制程专用，配置油过滤器与氮气净化； 1.5.3 真空极限优于2×10-1 Pa(经烘烤除气后)； 1.5.4 工作真空度：60～100Pa (0.5～1 Torr)，漏率≤5×10-7 cc/sec； 1.5.5 采用一组对流式数显复合真空计(双腔体各配置一组)，真空测量范围：1000～10-3Torr； 1.5.6 薄膜压力计1套，精确测量； 1.5.7 真空密封：相对固定部分采用金属密封，可动部分采用氟橡胶密封； 1.5.8 机械泵前端配置粉层过滤； 1.5.9 采用标准100毫米气导管径和304不锈钢真空阀门，全部法兰接口均为标规ISO/KF法兰； 1.5.10 配置真空互锁开关及接口； 1.5.11 使用全氟素真空泵油。 1.6 等离子体源产生系统： 1.6.1 频率13.56MHz (RF) x 一组/ 100～450 kHz (MF)为一组； 1.6.2 RF≥600watt含功率匹配器，功率连续可调，方便调节； 1.6.3 自动/手动(RF)高周波匹配器与默认及定位显示、RF发生器、自动匹配器； 1.6.4 快拆式设计，便于保养维护； 1.6.5 配置(RF)高周波电源专用切换器，可在双腔体间切换供应电源； 1.6.6 数字式直流偏压显示器与等离子电压伺服控制； 1.6.7 反应离子刻蚀腔内衬采用高纯（＞99%）石英。 1.7 薄膜质量： 1.7.1 可沉积薄膜种类：类金刚石薄膜、SiOx薄膜、SiNx薄膜、非晶Si、氮氧化合物与碳化物薄膜等多种功能性薄膜。 1.7.2 控制方式：等离子体手动控制(加热及真空测量、流量控制等)； 1.7.3 配置气体质量流量控制器及管路附件，可对前驱体进行充分混和，并通过射频花洒喷头等来制备相