半导体物理学 第七版 刘恩编著 第七章习题半导体物理学 第七版 刘恩科编著 第七章习题半导体物理学 第七版 刘恩科编著 第七章习题半导体物理学 第七版 刘恩科编著 第七章习题.ppt

第七章 金属和半导体的接触 1 什么是功函数？哪些因素影响了半导体的功函数？什么是接触势差？ 功函数是指真空电子能级E0与半导体的费米能级EF之差。 影响功函数的因素是掺杂浓度、温度和半导体的电子亲和势。 接触势则是指两种不同的材料由于接触而产生的接触电势差。 2 什么是Schottky势垒？影响其势垒高度的因素有哪些？ 金属与n型半导体接触形成阻挡层，其势垒厚度随着外加电压的变化而变化，这就是Schottky势垒。 影响其势垒高度的因素是两种材料的功函数，影响其势垒厚度的因素则是材料（杂质浓度等）和外加电压。 3 什么是欧姆接触？形成欧姆接触的方法有几种？试根据能带图分别加以分析。 欧姆接触是指其电流-电压特性满足欧姆定律的金属与半导体接触。 形成欧姆接触的常用方法有两种，其一是金属与重掺杂n型半导体形成能产生隧道效应的薄势垒层，其二是金属与p型半导体接触构成反阻挡层。其能带图分别如下： 4 什么是镜像力？什么是隧道效应？它们对接触势垒的影响怎样的？ 金属与半导体接触时，半导体中的电荷在金属表面感应出带电符号相反的电荷，同时半导体中的电荷要受到金属中的感应电荷的库仑吸引力，这个吸引力就称为镜像力。 能量低于势垒顶的电子有一定几率穿过势垒，这种效应就是隧道效应。隧道穿透的几率与电子的能量和势垒厚度有关。 在加上反向电压时，上述两种效应将使得金属一边的势垒降低，而且反向电压越大势垒降得越低，从而导致反向电流不饱和。 5 施主浓度为7.0×1016cm-3的n型Si与Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.20eV，Si的电子亲和能为4.05eV，试画出理想情况下金属-半导体接触的能带图并标明半导体表面势的数值。 解：金属与半导体接触前、后能带图如图所示 6 分别分析n型和p型半导体形成阻挡层和反阻挡层的条件。 （1）金属与n半导体接触形成阻挡层的条件是WmWs,其接触后的能带图如图所示： 金属与n半导体接触形成反阻挡层的条件是WmWs,其接触后的能带图如图所示： （2）金属与p半导体接触形成阻挡层的条件是WmWs,其接触后的能带图如图所示： 金属与p半导体接触形成反阻挡层的条件是WmWs,其接触后的能带图如图所示 7 什么是少数载流子注入效应？ 当金属与n型半导体形成整流接触时，加上正向电压，空穴从金属流向半导体的现象就是少数载流子注入效应。它本质上是半导体价带顶附近的电子流向金属中金属费米能级以下的空能级，从而在价带顶附近产生空穴。小注入时，注入比（少数载流子电流与总电流直之比）很小；在大电流条件下，注入比随电流密度增加而增大。