电力电子技术试题和答案这是缩印的电力电子技术试题和答案这是不缩印的电力电子技术试题和答案这是不缩印的电力电子技术试题和答案这是不缩印的.doc

考试试卷( 1 )卷 一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分） 1、电子技术包括__信息电子技术___和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。 2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在____开关_____状态。当器件的工作频率较高时，__开关_______损耗会成为主要的损耗。 3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为______载波比_______，当它为常数时的调制方式称为_____同步____调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_____分段同步_______调制。 4、面积等效原理指的是，_____冲量____相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。 5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是___MOSFET______，单管输出功率最大的是____GTO_________，应用最为广泛的是___IGBT________。 6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即???????????? ，其承受的最大正向电压为????????????? 。 7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为 逆变，如果接到负载，则称为 逆变。 8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。 (1)? 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2)? t1~t2时间段内，电流的通路为_______； (3)? t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4)? t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5)? t4~t5时间段内，电流的通路为_______； 二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分） 1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（ ） A、V1与V4导通，V2与V3关断 B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断 C、V1与V4关断，V2与V3导通 D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断 2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ ） A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶 闸管的导通角小于180度 B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作 C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度 D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度 3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（ ）晶闸管导通。 A、1个 B、2个 C、3个 D、4个 4、对于单相交交变频电路如下图，在t1~t2时间段内，P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是（ ） A、P组阻断，N组整流 B、P组阻断，N组逆变 C、N组阻断，P组整流 D、N组阻断，P组逆变 5、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（ ） A、30°～150? B、0°～120° C、15°～125° D、0°～150° 6、桓流驱动电路中加速电容C的作用是（ ） A、加快功率晶体管的开通 B、延缓功率晶体管的关断 C、加深功率晶体管的饱和深度 D、保护器件 7、直流斩波电路是一种（ ）变换电路。 A、AC/AC B、DC/AC C、DC/DC D、AC/DC 8、为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（ ） A、du/dt抑制电路 B、抗饱和电路 C、di/dt抑制电路 D、吸收电路 9、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（ ） A、减小至维持电流以下 B、减小至擎住电流以下 C、减小至门极触发电流以下 D、减小至5A以下 10、IGBT是一个复合型的器件，它是（ ） A、GTR驱动的MOSFET B、MOSFET驱动的GTR C、MOSFET驱动的晶闸管 D、MOSFET驱动的GTO