第1章常用半导体器件试题.doc

第2章　基本放大电路 当前页有10题，你已做10题，已提交10题，其中答对10题。 1. 如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流( )。 A.反向 B.近似等于零 C.不变 D.增大 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B 问题解析： 2. 晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为( )。 A.发射结反偏，集电结正偏 B.发射结、集电结均反偏 C.发射结、集电结均正偏 D.发射结正偏、集电结反偏 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C 问题解析： 3. 晶体管的电流放大系数是指(　　　　)。A.工作在饱和区时的电流放大系数B.工作在放大区时的电流放大系数C.工作在截止区时的电流放大系数 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B 问题解析： 4. 低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于(　　　　)。A.B.C. 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B 问题解析： 5. 某电路如下图所示，晶体管集电极接有电阻RC，根据图中的数据判断该管处在(　　　　)。A.截止状态 B.放大状态 C.饱和状态 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B 问题解析： 6. 某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为(　　　　)。A.P沟道耗尽型MOS管B.N沟道增强型MOS管C.P沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B 问题解析： 7. 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则此管子的夹断电压约为(　　　　)。A.0V B.＋2V C.－2V D.－1V 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C 问题解析： 8. 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在UDS=10V，UGS=0V处的跨导gm约为(　　　　)。A.1mA./V B.0.5mA./V C.-1mA./V D.-0.5mA./V 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：A 问题解析： 9. 如图示放大电路中接线有错误的元件是(　　　　)。A.RL B.RB C.C1 D.C2 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：B 问题解析： 10. 放大电路如图所示，由于RB1，和RB2阻值选取得不合适而产生了饱和失真，为了改善失真，正确的做法是(　　　　)。A.适当增加RB2，减小RB1 B.保持RB1不变，适当增加RB2C.适当增加RB1，减小RB2 D.保持RB2不变，适当减小RB1 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C 问题解析： 当前页有10题，你已做10题，已提交10题，其中答对10题。 11. 图示电路，已知晶体管，，忽略UBE，如要将集电极电流IC调整到1.5mA.，RB应取(　　　　)。A.480kW B.120kW C.240kW D.360kW 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：A 问题解析： 12. 电路如图所示，若晶体管的发射结被烧坏而形成开路，那么集电极电位UC应等于(　　　　)。A.6V B.0V C.0.6V D.5.3V 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：A 问题解析： 13. 某固定偏置单管放大电路的静态工作点Q如图所示，欲使工作点移至Q需使(　　　　)。A.偏置电阻RB增大B.集电极电阻RC减小C.偏置电阻RB减小 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C 问题解析： 14. 单管放大电路如图所示，其交直流负载的正确画法是图2中的(　　　　)。 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：A 问题解析： 15. 对放大电路进行动态分析的主要任务是(　　　　)。A.确定静态工作点Q B.确定集电结和发射结的偏置电压C.确定电压放大倍数和输入，输出电阻ri，r0。 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C 问题解析： 16. 某一固定偏置NPN管共射放大电路如图1所示，其输入和输出电压波形如图2所示，造成这种失真的原因是(　　　　)。A.管子的值太小 B.电路电源电压太高C.偏置电阻太小 D.偏置电阻太大 答题： A. B. C. D. （已提交） 参考答案：C 问题解析： 17. 如图所示的放大电路(　　　　)。A.不能稳定静态工作点。B.能稳定静态工作点，但比无二极管D的电路效果要差。