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HIT太阳能电池专利技术分析 　　摘 要：本文通过中国专利检索系统，检索了HIT太阳能电池相关的专利申请，重点分析了HIT太阳能电池专利申请的分布情况，从技术演进、专利申请年度发表趋势进行了分析，在上述统计分析的基础上，总结出HIT太阳能电池专利技术的一些规律，为进一步研究HIT太阳能电池提供参考资料。 　　关键词：HIT；太阳能电池；专利分析；技术发展 　　HIT（HIT Hetero-junction with Intrinsic Thin layer，以下简称HIT）太阳能电池的PN结是由非晶硅/单晶硅HIT结构，该电池在单晶硅衬底上依次淀积本征非晶硅薄膜和掺杂非晶硅薄膜，形成HIT太阳能电池，HIT界面质量的高低将直接影响HIT 太阳能电池的性能，本征非晶硅层的插入有效钝化了HIT界面。 　　HIT太阳能电池既利用了薄膜太阳能电池的制造工艺优势，又发挥了晶体硅和非晶硅的材料性能特点，其具有以下显著优点：（1）低温工艺，HIT 太阳能电池结合了薄膜太阳能电池低温（200℃～250℃）制造的优点；（2）高效率，HIT 电池继承了单晶硅的高迁移率特点，独有的带本征薄层的HIT结构，降低了HIT界面复合，提高了电池效率；（3）高稳定性，HIT 电池的光照稳定性和温度稳定性好；（4）低成本，HIT太阳能电池的厚度薄，可以节省硅材料。 　　HIT太阳电池虽然诞生的时间不长，但凭借其廉价高效的巨大优势迅速抢占国际光伏市场，成为目前太阳电池领域中耀眼的一颗新星。为了研究HIT太阳能电池专利技术的发展情况，利用S系统中的CNABS、CNTXT、SIPOABS、DWPI等数据库，通过IPC分类号、准确的关键词、转库检索，获得初步结果后去重去噪，然后结合S系统中的统计命令和Excel对该领域的中国专利申请和全球专利申请进行了统计分析，统计的时间节点2015年4月。 　　1、中国专利申请分析 　　本节主要对中国专利申请状况的趋势以及专利重要申请人进行分析。图1-1为HIT太阳能电池的中国历年专利申请量分布，从图中可以看出，HIT太阳能电池在中国的申请量重点分布在2009年以后，在2004-2009年期间，专利申请量较小且无明显增长势头，说明此阶段HIT太阳能电池在我国处于刚刚起步阶段，市场需求还不大；在2009年至2012年期间，专利申请量大幅度增长，技术生长率呈上升趋势，属于技术发展期，中国市场需求逐步打开。 　　图1-2为国内主要的申请人，从图中可以看出，HIT太阳能电池的中国专利申请中，申请量排名前五位的为常州天合光能有限公司、西安近代化学研究所、华南理工大学、山东力诺太阳能电力股份有限公司和吉林大学，而且与其他申请人的差别较大，说明在我国的专利申请中，专利申请人比较集中，出现了具备一定竞争实力的龙头企业，同时研究所和高校的申请量也较大，说明HIT太阳能电池已应用于产业生产并投入市场中，吸引了学者的研究，具有一定的研究价值。 　　2、全球专利分析 　　本节主要对国外申请专利进行分析，从专利申请趋势及专利申请国家区域分布进行分析。图2-1为HIT太阳能电池的全球历年专利申请量分布，从图中可以看出，HIT太阳能电池在全球的申请量重点分布在2008年以后，在2000年至2007年期间，专利申请量很小且无明显增长势头，此时说明HIT太阳能电池刚刚处于起步阶段，市场需求还不大；在2009年至2012年期间，专利申请量增长幅度较大，技术生长率呈上升趋势，属于技术发展期；截止到统计的时间节点，2013年之后的专利申请由于公开时间滞后的原因，而导致数据不完整，尤其是2014年的申请量下降趋势非常明显。 　　图2-2中示出了HIT太阳能电池在全球专利申请目标国的国家区域分布，从图中可以看到，中国是最为重要的目标国家，也是原创技术实力最强的国家；其次为美国、世界知识产权组织、日本、欧洲专利局、韩国、中国台湾。从数据来看，美国、世界知识产权组织、日本，是该领域高度关注的竞争市场，是该技术的主要生产应用国家，HIT太阳能电池技术具有较好的市场前景。 　　4、结语 　　通过上面的分析可以看出，HIT太阳能电池技术正处于快速发展阶段，申请国家主要集中在中国，其不仅申请的专利数量多，还掌握了大部分的核心技术。在我国的专利申请中，有很多高校和企业的申请人，申请人较为集中，申请量较大，在申请数量以及研究深度等方面均达到一定规模；从目标国家的申请量方面的分析可以看出，中国在该领域的市场还是有发展潜力的，在今后的发展中，国内该领域的申请人应多研究和借鉴前沿技术，加强专利布局，重视核心技术的外围开发，以保持和继续增强我国技术的竞争实力。 4