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TFT―LCD open cell制程 　　摘要：文章主要介绍TFT-LCD open cell制程，TFT-LCD open cell制程一般分为前段、中段和后段制程，前段制程主要是进行TFT玻璃的制作；中段制程主要指将TFT玻璃与彩色滤光片贴合；后段制程指驱动IC、印刷电路板和液晶板的压合。 　　关键词：TFT-LCD；open cell；制程；驱动IC；印刷电路板 　　中图分类号：TP391 文献标识码：A 文章编号：1009-3044（2016）27-0232-02 　　1 TFT-LCD open cell 制程简述 　　TFT-LCD open cell制程一般分为前段、中段和后段制程，前段制程主要是进行TFT玻璃的制作，这与半导体制程非常相似；中段制程主要指将TFT玻璃与彩色滤光片贴合，并加上上下偏光板；后段制程指将驱动IC和印刷电路板压合至TFT玻璃，并完成我们所熟知的open cell。 　　2 TFT-LCD open cell前段制程 　　TFT-LCD open cell前段制程与半导体制程非常相似，主要分成四个步骤： 　　1）利用沉淀形成gate metal。首先在玻璃基板上涂布一层金属，然后涂上光阻胶，最后通过暴光、显影、蚀刻和除胶而形成gate metal。涂布的金属材料主要成分为：钛（TI）、铝（AL）、钼（MO）和铬（CR）以及其混合物。 　　2）沉淀SI3N4（氮化硅）、a-SI（非晶硅）和N+a-si（N型硅）。首先利用PECVD （ Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ） 技术分别涂布一层SI3N4、N+a-si和a-si，然后在N+a-si和a-si上涂布光阻胶，通过暴光、显影、蚀刻和除胶而形成所需形状。PECVD指的是等离子体增强化学气相沉积法，原理是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉淀出所期望的薄膜，如图2所示。 SI3N4、N+a-si和a-si三种材料充当的角色分别为：gate端和液晶存储电容的电解质、N型半导体和P型半导体。 　　3）形成source metal和drain metal。首先在a-si上涂布一层金属材料来作为source metal和drain metal，然后在金属材料上涂布光阻胶并通过暴光、显影、蚀刻和除胶而形成所需形状，如图3所示。Source metal和drain metal主要成分为：钛（TI）、铝（AL）、钼（MO）和铬（CR），这与gate metal相同。 　　4）沉淀SI3N4和ITO（Indium Tin Oxides），ITO氧化铟锡是一种透明导电薄膜。首先利用PECVD技术沉淀一层SI3N4，然后再涂布一层ITO，至此整个TFT玻璃就完成了也就是说TFT-LCD open cell前段制程已经完成，其架构如图4所示，其中gate metal连接至gate IC，source metal连接至data IC。 　　3 TFT-LCD open cell 中段制程 　　TFT-LCD 架构就如三明治，下层TFT玻璃与上层彩色滤光片中间夹着液晶。而TFT-LCD open cell中段制程也分为四个主要步骤： 　　1）层TFT玻璃压合前处理。首先使用离子水洗净前段的TFT 玻璃，然后在TFT玻璃表面上涂布一层有机高分子配向膜，再通过辗压形成所谓的PI配向膜，其主要作用是为液晶分子制作一条专用的、有固定角度的通道来控制其在电压作用下的旋转方向和角度。然后在TFT玻璃上涂布长方形的密封胶，以利于TFT玻璃与彩色滤光片的粘合以及防止液晶外漏，而这个长方形将会是该open cell的可视区，最后在胶框内注入液晶。 　　2）上层彩色滤光片压合前处理。首先，在彩色滤光片基板上涂布有机高分子材料，再通过辗压形成配向膜。然后在彩色滤光片中喷洒spacer，以保证彩色滤光片与TFT基板的空隙。 　　3）将TFT玻璃基板和彩色滤光片进行压合，并在压合处边框部分涂上导电胶，以保证外部电子能进入液晶层。压合后由上向下的顺序为：彩色滤光片、配向膜、液晶、配向膜和TFT玻璃。 　　4）将压合后的液晶板按照设定好的尺寸进行切割，然后在切割好的液晶板上下分别贴上水平偏光板和垂直偏光板。至此，整个TFT-LCD OPEN CELL的中段制程已经完成。 　　4 TFT-LCD open cell后段制程 　　TFT-LCD open cell后段制程主要指的是将驱动IC和PCB压合至液晶板上，这个制程主要由三个步骤组成： 　　1）ACF（ Anisotropic Conductive Film）的涂布