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一种GaN的C类功率放大器设计 　　摘 要：目前，在材料方面的研究领域中，氮化镓作为必威体育精装版半导体材料的重要代表之一，其具有宽禁带、高饱和电子漂移速率、高击穿场强等优点，已成为人们炙手可热的研究对象。为了探索GaN功率放大器的特点，文中选择CREE公司的功率管CGH40010。首先阐述了其设计步骤，利用ADS仿真软件并采用负载牵引和源牵引技术实现了输入输出端口的阻抗匹配，再对整体电路进行仿真分析，并用数据说明了放大器在1.76～1.84 GHz内可实现功率输出42 dBm以上，功率附加效率超过75%。结果表明，GaN放大器具有高效率与高增益等优点。 　　关键词：GaN半导体；功率放大器；负载牵引；源牵引；ADS 　　中图分类号：TN95 文献标识码：A 文章编号：2095-1302（2016）06-00-04 　　0 引 言 　　随着现代无线通信系统的迅猛发展，对功率放大器的输出功率、带宽、效率、线性度和可靠性等方面都有了更高的要求[1，2]。在射频领域中，功率放大器作为无线通信系统中的关键组成部分而成为研究热点。尤其功率附加效率（PAE）、线性度和输出功率是微波功率放大器特别关注的性能指标。 　　以硅为主的晶体管材料LDMOS管是国内目前为止常用来研究的对象，它因为有较好的性能，低廉的价格而受到广泛应用。然而，它的功率密度低，容易被静电击毁；耐压不高，容易被击穿。而以GaN（Gallium Nitride，GaN）材料为主的功率放大器是一种高电子迁移率晶体管HEMT（High Electron Mobility Transistor，HEMT），它的寄生参数影响很小[3]，具体优势体现在以下几个方面： 　　（1） 击穿电压高，是砷化镓（GaAs）和Si LDMOS的两倍以上； 　　（2）功率密度大，同砷化镓（GaAs）半导体相比高出5倍；在对应同等功率晶体管体积下，由于GaN晶体管功率密度大的特性使得它的输出功率大，效率高； 　　（3）击穿电场高，端口寄生参数和漏电流小； 　　（4）电子饱和速率高及介电常数低，适合工作频率较高的微波功率放大器。 　　本文将充分利用GaN HEMT高性能射频功率晶体管的性能优势，采用GaN HEMT高性能射频功率晶体管代替传统的LDMOS功率管，利用Agilent ADS 仿真软件设计实现一款C类功率放大器， 在下面内容中将详细说明设计步骤并对放大器进行实验仿真， 结果表明，放大器可以在1.8 GHz内实现输出功率大于42 dBm， 附加效率超过75%。 　　1 功率放大器的设计 　　本文设计一款功率放大器，其目标参数为工作频率1.76～1.84 GHz，输出功率16 W，功率附加效率大于75%，功率增益大于14 dB，IMD3小于-13 dBc。 　　1.1 功率管的选择 　　在本文中根据放大器要求的设计指标， 选用CREE公司提供的型号为CGH40010的GaN HEMT功率管， 主要性能参数如表1所示。 　　1.2 功率放大器的设计步骤 　　在射频功率放大器原理图中主要分为三个组成部分，分别为输入匹配网络、输出匹配网络和偏置电路。本文中，VGS和VDS分别为栅极电压和漏极电压。整个电路设计过程中的主要思路是：首先对功率管进行直流分析确定放大器的静态工作点；之后对其进行稳定性分析；然后利用ADS中源牵引和负载牵引确定功率管匹配电路的最佳源阻抗ZS和最佳负载阻抗ZL，从而进行输入输出匹配电路设计。 　　1.2.1 静态工作点的确定 　　设计的第一步是对晶体管的静态工作点进行确定，而对于传统功放而言，晶体管的工作方式由静态工作点的不同来确定。本文通过采用直流扫描的方法来确定晶体管静态工作点。图1所示为直流扫描结果图，从图中可以看到晶体管不同的工作区所对应的栅极和漏极电压。因为该功放管在C类条件下工作，静态工作点应该选在截止区，所以选择VDS=28 V，VGS=-2.8 V作为放大器的工作电压。 　　1.2.2 稳定性分析 　　通常可以采用小信号参数的仿真来判定功放是否处于稳定性状态，在ADS软件中，S参数仿真原理图中加入稳定性分析的控件StabFact，其稳定性仿真如图2所示。 　　由图2可知，在1.0～3.0 GHz扫描频段范围内稳定系数StabFact1，因此晶体管达到了绝对稳定状态。 　　1.2.3 源牵引和负载牵引分析 　　设计输入输出匹配电路首先要找到最佳输入输出匹配点，通常利用软件ADS中源牵引和负载牵引法得到匹配点。源/负载牵引是一种与阻抗相关的测量技术，通过不断调节输入和输出端的阻抗值，找到输出功率最大的输入、输出匹配阻抗。同理也可以得到功率管效率最高的匹配阻抗，通过这种方法可以准确测量出器件在大信号条件下的最优性能。