电工电子学A(复习)选读.ppt

电工电子学（复习） 第1章 电路的基本概念与基本定律（掌握） 1.1 电路的作用与组成部分 1.2 电路模型 1.3 电压和电流的参考方向 1.4 欧姆定律 1.5 电路有载工作、开路与短路 1.6 基尔霍夫定律 1.7 电路中电位的概念及计算 1.1 电路的作用与组成部分 1.电路是电流的通路，是为了某种需要由电工设备或电路元件按一定方式组合而成。（P7） 2.电路的作用（P7-8） （1）实现电能的传输和转换（如电力系统） （2）实现信号的传递和处理（如扩音机） 3.电路的组成部分（P8） 电源（信号源）、中间环节、负载 例1： 3. 非线性失真 3. 非线性失真 第14章 二极管和晶体管 14.3 半导体二极管（理解） 14.4 稳压二极管（了解） 14.5 半导体三极管（掌握、理解） 14.2 PN结（理解） 14.1 半导体的导电特性（理解） 14.6 光电器件（×） 14.1 半导体的导电特性 1、本征半导体的载流子：自由电子和空穴 14.1.1 本征半导体 2、载流子产生的原因：本征激发。 温度愈高， 载流子的数目愈多 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 1、在N 型半导体中：自由电子是多数载流子（掺杂） ，空穴是少数载流子（本征激发）。 2、在 P 型半导体中：空穴是多数载流子（掺杂） ，自由电子是少数载流子（本征激发） 。 无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。 14.2 PN结 14.2.2 PN结的单向导电性 14.2.1 PN结的形成 1、PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。 2、PN 结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。 14.3 半导体二极管 二极管的单向导电性 二极管加正向电压（正向偏置）， 二极管处于导通状态；二极管加反向电压（反向偏置）， 二极管处于截止状态。 电路如图，求：UAB V阳 =－6 V V阴 =－12 V V阳V阴 二极管导通 若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB =－ 6V 否则， UAB低于－6V一个管压降，为－6.3Ｖ或－6.7V 例1： 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。 在这里，二极管起钳位作用。 D 6V 12V 3k? B A UAB + – D1 3k? D2 5V 1V D2导通，D1截止 14.5 半导体三极管 C E 发射区 集电区 基区 集电结 发射结 N N P 基极 发射极 集电极 B C E 发射区 集电区 基区 P 发射结 P 集电结 N 集电极 发射极 基极 B 晶体管的结构示意图和表示符号 (a)NPN型晶体管； (a) N N C E B P C E T B IB IE IC (b) B E C P P N E T C B IB IE IC (b)PNP型晶体管 14.5.1 基本结构 1. 三极管放大的外部条件 发射结正偏、集电结反偏 2. 三极管放大的内部条件 发射区：掺杂浓度最高 基区：最薄，掺杂浓度最低 集电区：面积最大 14. 5. 2 放大原理 14.5.3 特性曲线 1. 输入特性 特点:非线性 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6 ~ 0.7V PNP型锗管 UBE ? ?0.2 ~ ? 0.3V 3DG100晶体管的 输入特性曲线 O 0.4 0.8 IB/?A UBE/V UCE≥1V 60 40 20 80 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 2. 输出特性 晶体管有三种工作状态，因而输出特性曲线分为三个工作区 (1) 放大区（线性区） 特点：发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置 对NPN 型管：UBE 0, UBC 0 对PNP 型管：UBE 0, UBC 0 IC/mA UCE/V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA O 3 6 9 12 4 2.3 1.5 3 2 1 IB =0 大 放 区 截止区 饱和区 （2）截止区 特点：发射结处于反向偏置、集电结处于反向偏置 (3) 饱和区 特点：发射结处于正向偏置、集电结处于正向偏置 4.集电极最大允许电流 ICM 5.集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 集电极电流 IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为 ICM。 当集—射极之间的电压UCE 超过一定的数值时，三极管就会被