第1章常用半导体器件选读.ppt

三、FET的工作状态 夹断区 N沟道：uGS UGS(th) (UGS(off)) , uGDUGS(th)(UGS(off)) P沟道：uGS UGS(th) (UGS(off)) , uGDUGS(th)(UGS(off)) 恒流区 N沟道：uGS UGS(th) (UGS(off)) , uGDUGS(th)(UGS(off)) P沟道：uGS UGS(th) (UGS(off)) , uGDUGS(th)(UGS(off)) 可变 电阻区 N沟道：uGS UGS(th) (UGS(off)) , uGDUGS(th)(UGS(off)) P沟道：uGS UGS(th) (UGS(off)) , uGDUGS(th)(UGS(off)) 范例分析一 已知FET的┃UGS(th)┃、┃UGS(off)┃均为1V,它们各工作于什 么区？ 恒流区 可变电阻区 夹断区 可变电阻区 N-耗尽型 N-增强型 P-增强型 P-耗尽型 范例分析二 UGS(off)=5V, IDSS = -3mA UGS＝VGG＝2V UGS(off)＝5V ID＝IDSS（1- UGS / UGS(off)）2 ＝-1.08mA UDS＝VDD -(- ID )RD＝-6.4V UGD＝UGS -UDS＝8.4V UGS(off) P-JFET 恒流区 UGS(off)=-4V, IDSS = 6mA N-JFET UGS＝0V UGS(off)＝-4V ID＝IDSS＝6mA UDS＝VDD - IDRD＝-9.8V UGD＝UGS -UDS＝9.8V UGS(off) 可变电阻区 UGS(th)=-3V P-增强型 夹断区 UGS＝VGG＝－2V UGS(th)＝－3V ID＝0，UDS＝VDD＝－10V UGD＝UGS－UDS= 8V UGS(th) UGS(off)=-2V, IDSS = 2mA UGS＝0V UGS(off)＝－2V ID＝IDSS＝2mA UDS＝VDD－IDRD＝3.4V UGD＝UGS－UDS＝－3.4V UGS(off) N-耗尽型 恒流区 本章知识结构导图 半导体材料 单质 特性 化合物 PN结 半导体 半导体器件 电子电路系统 绝缘体 导体 半导体 本征半导体 杂质半导体 n=p=ni N型半导体 P型半导体 多子-电子 多子-空穴 PN结 V-I特性 温度特性 电容效应 半导体器件 半导体器件 二极管 BJT FET 电路模型 应用电路 NPN PNP 结型 绝缘栅型 耗尽型 增强型 N沟道 P沟道 理想开关模型 恒压源模型 折线近似模型 小信号模型 整流 限幅 稳压 直流钳位 输入、输出曲线、主要参数 及受温度的影响 输出及转移特性 主要参数 基本放大电路 放大区的偏置条件 基本放大电路 第一章 作业 1.2 1.3 1.4 1.6 1.9 1.11 1.12 1.13 1.15 1.16 1.17 1.18 范例分析二 UZ1=7V，UZ2=6V DZ2优先稳压 DZ1稳压 DZ2稳压 2DW3: UZ=9V，rz=4Ω 范例分析三 ΔUI/UI=10% ΔUO/UO=? 动态电阻rz §1.3 晶体三极管 一、 晶体管的结构和类型 二、 晶体管的放大原理 三、 晶体管的特性曲线 四、 晶体管的主要参数 五、 温度对晶体管特性的影响 晶体三极管的几种常见外形 §1.3 晶体三极管（BJT） 小功率管 中功率管 大功率管 一、晶体管的结构及类型 面积大 多子浓度高 多子浓度低 且很薄 二、晶体管的放大原理 NPN管：UBE Uon ,UCB 0 PNP管：UEB Uon , UBC 0 放大偏置条件 发射结正偏 集电结反偏 扩散运动形成发射极电流IE 少子的漂移形成 集电结反向电流 复合运动形成基极电流IB 漂移运动形成集电极电流IC 基区空穴扩散 形成扩散电流 电流分配关系 直流电流 放大系数 通常几十~几百 近似分析不区分 交流电流 放大系数 穿透电流 三、 晶体管的特性曲线 1、输入特性 iB = f(uBE)┃UCE 为什么UCE增大曲线