m22三极管2概要.ppt

2.2 半导体三极管 2.2.1 基本结构 2. 2. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 2、内部载流子传输过程 3. 各电极电流关系及电流放大作用 2.2.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 2.2.4 主要参数 1. 电流放大系数，? 思考题 6、三极管组成电路如左图所示，试分析 （1）当Vi=0V时 （2）当Vi=3V时 电路中三极管的工作状态。 6三极管能起放大作用的内部条件通常是： 发射区掺杂浓度 ，基区杂质浓度比发射区杂质浓度 ，基区宽度 ，集电结面积比发射结面积 。 7NPN型和PNP型三极管的区别是 （a. 由两种不同的材料硅或锗构成，b. 掺入的杂质不同，c. P区和N区的位置不同） 9 检修某台无使用说明书的电子设备时，测得其中四只三极管各电极的对地电压数据如表所示，试判断这四只管子的类型及工作状态。 思考题 10 某三极管的极限参数PCM=150mW，ICM=100mA，V（BR）CEO=30V。若它的工作电压VCE=10V，则工作电流IC不得超过 __mA（a.100mA, b. 15mA, c. 1mA）； 11若工作电压VCE=1V，则工作电流不得超过__ mA（a.100mA, b. 15mA, c. 1mA）；若工作电流IC=1mA，则工作电压不得超过__ V（a. 30V, b. 10V, c. 1V）。 11 在图CS_02所示共射放大电路中，三极管b=50，VBE= -0.2V。问：当开关与A处相接时，三极管处于___状态；开关与B相接时，三极管处于___状态；开关与C相接时，三极管处于___状态。 * 2.2 三极管 本章要求： 一、理解三极管的电流分配和电流放大作用； 二、了解三极管的基本构造、工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义； N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 B E C B E C PNP型 P P N 基极 发射极 集电极 符号： B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN型三极管 PNP型三极管 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。 少数载流子的运动 因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区 因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合 因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区 基区空穴的扩散 2. 2. 2 电流分配和放大原理 IC EB mA ?A RB IB EC mA – – + + IE IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: 1）三电极电流关系 IE = IB + IC 2） IC ?? IB ， IC ? IE 静态(直流)电流放大系数: 动态(交流)电流放大系数: 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件。 3) 当IB=0(基极开路)时, IC=ICEO,很小接近于０。 4) 要使晶体管起电流放大作用，发射极必须正向偏置，集电极必须反偏。 即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。 为什么要研究特性曲线： 1）直观地分析管子的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 IC EB mA ?A V UCE UBE RB IB EC V + + – – – – + + IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V 特