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《 模 拟 电 子 技 术 》 练 习 填 空 1.半导体是一种导电能力介于 ________与 ________ 之间的物质 。 2.当外界温度、光照等发生变化时，半导体的______能力会发生很大变化。 3.在半导体中，参与导电的不仅有_________，而且还有_______，这是半导体区别导体导电的重要特征 。 4.N型半导体主要靠_______导电，P型半导体主要靠______导电 。 5.PN结正向偏置是将P区接电源的______极，N区接电源的_____极 。 6.PN结加正向电压时______，加反向电压时________，这种特性称为PN结的______________________________。 7.整流二极管的最主要特性是__________，使用时应考虑的两个主要参数是__________和______________。 8.在常温下，硅二极管的死区电压约为______V，导通后在较大电流下的正向压降约为________V，锗二极管的死区电压约为_______V，导通后在较大电流下的正向压降约为_______ V。 9.当加在二极管两端的反向电压过高时，二极管会被 ________ 。 10.用指针式万用表的两表棒分别接触一个二极管的两端，当测得的电阻值较小时，黑表笔所接触的一端是二极管的________极 。 11.电路如图所示，试确定二极管是正偏还是反偏。 设二极管正偏时的正向压降为0.7V，估 算 UA~ UD值 。 图 a：VD1_______ 偏置 ， UA=_____，UB=_______； 图 b：VD2________ 置 ， UC=_____，UD=_______。 12.判断下图所示各电路中二极管是导通还是截止， 并求出AB两端电压UAB（设二极管均为理想二极管） 图a：VD_______，UAB_______。 图b：VD_______，UAB_______。 图c：VD_______，UAB_______。 图d：VD1_______，VD2_______， UAB_______ 。 13.硅稳压管是工作在_________状态下的硅二极管，在实际工作中，为了保护稳压管，需在外电路串接 _________。 I4.晶体三极管（简称三极管或晶体管）是由两个PN结构成的一种半导体器件，从结构上看可以分为_______和_________两大类型。 15.三极管具有电流放大作用的内部条件是 ： （l）_____区很薄 ；（2）_______区的多数载流子的浓度较高 ；（3）_______结的面积较大 。 I6.三极管具有放大作用的外部条件是 ： （l）_______结正向偏置 ；（2）________结反向偏置 。 17.三极管的工作有赖于两种载流子——自由电子和空穴，因此又称它为_______ 晶体三极管 。 18.PNP型三极管处于放大状态时，三个电极中____ 极电位最高，____极电位最低 。 19.三极管的电流放大作用是指三极管的______电流约是_____电流的β倍，即利用_____电流，就可实现对_____电流的控制。 20.三极管正常放大时，发射结的导通压降变化不大，小功率硅管约为_____V，锗管约为______ V。 21.三极管在放大区的特征是当IB固定时，IC基本不变，体现了管子的______特性 。 22.三极管的输出特性曲线可分为三个区域。当三极管工作在_______区时，关系式IC≈βIB才成 立；当三极管工作在______区时，IC≈0；当三极管工作在_______区时UCE≈0。 23.若某三极管的管压降UCE保持不变，当测得IB＝30μA时，Ic＝1．2mA，则发射极电流IE＝______ mA；如果IB增大到50μA时，Ic增加到2 mA，则三极管的电流放大系数β=_______ 24.下图所示的各晶体管电极上的实测对地电压数据中，分析各管的情况。 图a中管子工作在 区，图b中管子工作在 区，图c中管子工作在 区，图d中管子工作在 区。 25.在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中。（可不限一种） (1)希望电压放大倍数大，可选用______________组态 。 (2)希望既能放大电压，又能放大电流应选用_________________组态。 (3)希望输出电压与输入电压同相，可选用______________组态。 (4)希望带负载能力强，应选用_________________组态。 (5)希望从信号源索取的电流小，应选用_______________组态。 26.多级放大器常用的级间耦合方式有___________、_______