巨磁电阻课件.pptVIP

磁阻传感器 巨磁电阻传感器原理 在零磁场情形下，4个电阻的阻值均为R，输出电压OUT+=OUT-，此时输出电压差值为零 在有外加磁场 B 时，电阻R1、R3由高导磁率的材料覆盖屏蔽。电阻R2和R4将变为 ，此时OUT+≠OUT-。 W W W . W A T S O N W Y A T T . C O M 黄 鹏 李德泰 王充 发现巨磁电阻效应，法德科学家分享2007年诺贝尔物理学奖 诺贝尔物理学奖 阿尔贝·费尔1938年3月7日出生于法国的卡尔卡松,1962年，费尔在巴黎高等师范学院获数学和物理硕士学位。1995年至今则担任国家科学研究中心-Thales 集团联合物理小组科学主管。1988年，费尔发现巨磁电阻效应，同时他对自旋电子学作出过许多贡献。 德国科学家彼得·格林贝格尔1939年5月18日出生。1969年在达姆施塔特技术大学获得博士学位1988年，格林贝格尔在尤利西研究中心研究并发现巨磁电阻效应；2004年在研究中心工作32年后退休，但仍在继续工作。 巨磁阻效应是一种量子力学和凝聚态物理学现象，磁阻效应的一种，可以在磁性材料和非磁性材料相间的薄膜层（几个纳米厚）结构中观察到。这种结构物质的电阻值与铁磁性材料薄膜层的磁化方向有关，两层磁性材料磁化方向相反情况下的电阻值，明显大于磁化方向相同时的电阻值，电阻在很弱的外加磁场下具有很大的变化量。巨磁阻效应被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。 巨磁阻示意图 FM（蓝色）表示磁性材料，NM（橘色）表示非磁性材料，磁性材料中的箭头表示磁化方向；Spin的箭头表示通过电子的自旋方向；R（绿色）表示电阻值，绿色较小表示电阻值小，绿色较大表示电阻值大。 横坐标为磁化强度，纵坐标为磁化时电阻与无磁化时电阻的比值；三条曲线分别显示了三种不同厚度结构的铁、铬薄膜层 巨磁阻效应自从被发现以来就被用于开发研制用于硬磁盘的体积小而灵敏的数据读出头（Read Head）。这使得存储单字节数据所需的磁性材料尺寸大为减少，从而使得磁盘的存储能力得到大幅度的提高。第一个商业化生产的数据读取探头是由IBM公司于1997年投放市场的，到目前为止，巨磁阻技术已经成为全世界几乎所有电脑、数码相机、MP3播放器的标准技术。 硬盘鼻祖 ibm 350 ramac 容量仅仅5MB 80G微型硬盘 磁阻传感器已经能制作在硅片上，并形成产品。其灵敏度和线性度已经能满足磁罗盘的要求，各方面的性能明显由于霍尔器件。迟滞误差和零点温度漂移还可采用对传感器进行交替正向磁化和反向磁化的方法加以消除。由于磁阻传感器的这些优越性能，使它在某些应用场合能够与磁通门竞争。