模拟电路1笔范例.doc

试卷五 填空题（每题2分，共20分） ⒈二极管的伏安关系可近似表述为公式： 当工作频率过高时，二极管会失去单向导电特性，其原因是： ⒉在常温下，杂质半导体的参数载流子主要由 产生，少数载流子由 产生。 ⒊利用二极管的 特性可以制成稳压管。利用二极管在 偏置时的 电容效应可制成变容二极管。 ⒋耗尽型场效应管在恒流区的平方律关系式为： 当该类型FET的沟道预夹断时，与满足方才： 。 ⒌当偏置于放大区的晶体管的集电结反偏电压的值增加时，基区有效宽度的变化是 ，共射直流电流放大系数的变化是 。 ⒍图1所示放大器的静态=，=。当输入信号增大时，首先出现的削波失真应为 失真，若改变来消除这种失真，应使其 。 图1 ⒎当频率增加到使晶体管的高频=1，频率称为晶体管的 频率。若某管=800MHZ，低频=50，则频率=50MHz时，= 。 ⒏图2所示，由两支配对硅管（=0.7V）组成的电路称为 。按图中给出的数据I0= 。 图2 图3 ⒐图3为一反馈放大器数学模型，该模型的中频区闭环电压增益为 分贝，闭环电压增益的高频截止频率= MHZ。 ⒑某运放开环电压增益的幅频率特性为图4所示，若用该运放构成负反馈反相放大器，并且有450的相位裕量，该放大器的电压增益应为 倍。 120 100 80 60 40 20 -20 图4 单选题（每题2分，共20分） ⒈在正偏PN结阻挡层两侧的P区和N区中，自由电子浓度n和空穴浓度p应满足关系式（ ）。下面各式中的ni的本征浓度。 A．np=ni2 B.np＜ni2 C.np＞ ni2 D.n=p ⒉若图1电路出现了故障，测得各管脚电压为=3.5V，=4V，=3.3V，由此可以推断，故障的原因应该是（ ）。 A．R1开路 B.R2开路 C.RC短路 D.RL短路 ⒊某放大器信号源内阻较大，希望加入负反馈的输出电流随负载变化明显减小，则应采用（ ）负反馈。 A．电压取样电流求和（并并） B．电压取样电压求和（串并） C．电流取样电流求和（并串） D．电流取样电压求和（串串） ⒋若差动放大器一个输入端的输入电压Vi1=2mv,且共模输入电压与差模输入电压相等，则另一个端的输入电压Vi2=( ) A 、6mV B 、-6mV C 、3mV D 、0mV 5.若对下面四种无负反馈的基本放大器输入相同振幅的小信号则（ ）的非线性失真最小。 A、共射放大器 B、 晶体管差动放大器 （CE差模组态） C、共源放大器 D、场效应管差动放大器 （CS差模组态） 6、图5是某放大器低频段的交流通路。当开关K置于（　　　　）位置时，Ar(jw)= 的低频截止频率fL最低 图5 ７、在图１放大器中，假设R1 R2 RE RC hie其值的数量级相同，β〉〉1，C1=C2=CE,则该放大器电压增益函数的低频截止频率≈（ ）。 A. B. C. D. 8.若OTL功放是功率管的极限参数PCM=1W，BVCEO=20V，ICM=2A，则该功放电源电压VCC及最大功率输出POMAX应满足（ ）。 A. VCC20V , POMAX5W B. VCC20V,