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据教材章节总结 第一章 金属 ：具有正的电阻温度系数的物质，其电阻随温度升高而增加。 金属键：由自由电子及排列成晶格状的金属离子之间的静电吸引力组合而成。 晶体：原子在三维空间作有规则的周期性排列的物质。 各向异性：不同方向测量其性能时，表现出或大或小的差异。 空间点阵：由阵点有规则地周期性重复排列所形成的三维空间阵列。 晶胞：从晶格中选取一个能完全反映晶格特征的最小几何单元，来分析原子排列的规律性，这个最小的几何单元称晶胞。 晶格常数或点阵常数：晶胞的棱边长度一般称为晶格常数。 配位数：晶体结构中与任一个原子最近邻、等距离的原子数目。 致密度：原子排列的紧密程度，可用原子所占体积与晶胞体积之比表示。 晶面：在晶体中，由一系列原子所组成的平面称晶面。 晶向：在晶体中，任意两个原子之间连线所指的方向。 晶向族：原子排列相同但空间位向不同的所有晶向称晶向族。以uvw表示。 多晶体：凡由两颗以上晶粒所组成的晶体称多晶体。 多晶型转变或同素异构转变：当外部条件改变时，金属内部由一种晶体结构向另一种晶体机构转变。 晶体缺陷：在实际应用的金属材料中，总不可避免地存在一些原子偏离规则排列的不完整性区域。 晶体缺陷几何特征：点缺陷 空位 间隙原子 置换原子 线缺陷 位错 面缺陷 晶界、亚晶界 空位：在某一温度瞬间，总有一些原子具有足够高的能量，克服周围原子的约束，脱离原来的平衡位置迁移到别处，于是在原位置上出现空结点。 空位是一种热平衡缺陷，间隙原子也是一种热平衡缺陷。 位错：晶体中某处有一列或若干列原子发生有规律的错排牌现象。 位错分为刃型位错和螺型位错。 刃型位错有正负之分，若额外半原子面位于晶体的上半部，则此位错线称为正刃型位错，反之，则称为负刃型位错。 位错可理解为晶体已滑移区和未滑移区的边界。 刃型位错的重要特征： 1 刃型位错有一额外半原子面。 2 位错线是一个具有一定宽度的细长晶格畸变管道，其中既有正应变，也有切应变。对于正刃型位错，滑移面之上晶格受到正应力，滑移面之下受到拉应力。负刃型位错与此相反。 3 位错线与晶体的滑移方向垂直，位错运动方向垂直于位错线。 螺型位错 通常用拇指代表螺旋前进方向，而其余四指代表螺旋的旋转方向，凡符合右手法则的称为右螺型位错，符合左手法则的称为左螺型位错。 螺型位错的重要特征： 1 螺型位错没有额外半原子面。 2 螺型位错是一个具有一定宽度的细长晶格畸变管道，其中只有切应变，而无正应变。 3 位错线与晶体滑移方向平行，位错线运动方向与位错方向垂直。 柏氏矢量：有一个量，用它不但能表示位错的性质，而且可以表示晶格畸变的大小和方向，从而使人们在研究位错时能够摆脱位错区域内原子排列具体细节的约束，这个量叫柏氏矢量 刃型位错的柏氏矢量与位错线相垂直，螺型位错的柏氏矢量与位错线平行。 晶体滑移量的大小即柏氏矢量b，滑移方向即柏氏矢量方向。 位错密度：把单位体积中所包含的位错线的总长度称为位错密度。 晶界：晶粒结构相同但位向不同的晶粒之间的界面位晶界。 层错：在实际晶体中，晶面堆垛顺序发生局部差错而产生的一种晶体缺陷。 层错能：把产生单位体面积层错所需的能量称为层错能。 内吸附：由于晶界能的存在，当金属中存在有能降低晶界能的异类原子时，这些原子就向晶界偏聚，这种现象称为内吸附。 反内吸附：凡是提高晶界能的原子，将会在晶粒内部偏聚，称为反内吸附。 第二章 过冷度：金属理论结晶温度与实际结晶温度之差称为过冷度。 相变潜热：1mol物质从一个相转变为另一个相时，伴随着放出或吸收的热量称为相变潜热。 短程有序：在液体中的微小范围，存在着紧密接触规则排列的原子集团。 长程有序：在晶体中大范围内的原子有序排列。 结构起伏或相起伏：不断变化着的短程有序原子集团。 均匀形核：若液相中各个区域出现新相晶核的几率都是相同的，这种形核方式即为均匀形核。 非均匀形核：新相优先于出现于液相中的某些区域。 过冷度越大，则临界晶核半径越小。 形核功：形成临界晶核时，体积自由能的下降只补偿了表面能的2/3，还有1/3的表面能没有得到补偿，需要另外供给，需要对形核做功，这个功称为形核功。 能量起伏：微区域内暂时偏离平衡能量的现象。 过冷度、相起伏、能量起伏是形核的基础。 临界形核功与过冷度的平方成成反比，过冷度越大，临界形核功显著降低，从而使结晶过程易于进行。 形核率：单位时间单位体积液相中形成的晶核数目。 形核率受两个方面的控制：一方面，随着过冷度的增加，临界形核半径和形核功随之减小，易于形核，形核率增加。另一方面，形核过程有迁移扩散过程，但是增加过冷度，就势必降低原子的扩散能力，造成形核困难，形核率减少。 有效形核温度：在到达一定的过冷度之前，液态金