存储器扩展实概要.ppt

* 实验三 存储器扩展实验 * 实验目的 通过看懂教学计算机中已经使用的几个 存储器芯片的逻辑连接关系和用于完成存 储器容量扩展的几个存储器芯片的布线安 排，在教学计算机上设计、实现并调试出 存储器容量扩展的实验内容。 * 实验目的（续） 其最终要达到的目的是： 1．深入理解计算机内存储器的功能、组成知识； 2．深入地学懂静态存储器芯片的读写原理和用他们组成教学计算机存储器系统的方法（即字、位扩展技术），控制其运行的方式； 思考并对比静态和动态存储器芯片在特性和使用场合等方面的同异之处。 * 实验说明 教学计算机存储器系统由ROM 和RAM两个存储区组成，分别由 EPROM 芯片（或 EEPROM芯片）和 RAM芯片构成。TEC-XP教学计算机中还安排了另外几个存储器器件插座，可以插上相应存储器芯片以完成存储器容量扩展的教学实验。 * 实验内容 1．完成存储芯片的物理扩展，相应位置插上相应的HN58c65p芯片（EEPROM芯片）； 注意：必须保证缺口朝向左边，否则将烧毁芯片。 2．用监控程序的 D、E命令对存储器进行读写，比较 RAM（6116）、EEPROM（28系列芯片）在读写上的异同； * 实验内容（续） 3．用监控程序的 A命令编写一段程序，对 RAM（6116）进行读写，用 D 命令查看结果是否正确； 4．用监控程序的 A命令编写一段程序，对扩展存储器 EEPROM（28 系列芯片）进行读写，用D命令查看结果是否正确；如不正确，分析原因，改写程序，重新运行。 * TEC-XP实验存储系统 0000H-1FFFH： 监控程序 教学机的RAM地址范围是2000h-27FFh 2600H-27FFH：工作区 2000H-25FFH：用户区，可存放用户的程序和数据 4000H-FFFFH：用户扩展区，可存放用户的程序和数据（但是要注意读写方法） * 实验准备步骤 1．检查 FPGA下方的插针要按下列要求短接：标有“/MWR”“RD”的插针左边两个短接，标有“/MRD”“GND”的插针右边两个短接，标有 ROMLCS和 RAMLCS的插针短接。 * 实验准备步骤（续） 2．将扩展芯片右边的插针按下列方式短接：将 EXTROML 芯片右上方的标有“WE”和“A11”的插针下面两个短接，将它右边标有“TEC”“/CS”“FPGA”的三个插针左边两个短接，标有XTROMLCS的插针短接，标有“TEC”“OE”“GND”“ FPGA”的四个插针上边一排左边的两个短接； * 实验准备步骤（续） 3．在第四步中用户可以将右侧标有“TEC”“/CS”“FPGA”的三个插针左边两个短接这表示扩展的 ROM 的内存地址是从4000H开始，可用空间是4000H~5FFFH，用户可在这个范围内输入程序或改变内存单元的值。也可以将这个插针断开，将标有/CS 的圆孔针与标有 MEM /CS 的一排圆孔针中的任意一个用导线相连；注意连接的地址范围是多少，用户可用的地址空间就是多少。 * 实验准备步骤（续） 4．将标有“DataBus 15－8”和“DataBus 7－0”的数据总线的指示灯下方的插针短接； 5．将标有“AdressBus 15-8”和“AdressBus 7-0”的地址总线的指示灯下方的插针短接； * 实验准备步骤（续） 将 TEC-XP实验系统左下方的五个黑色的控 制机器运行状态的开关置于正确的位置， 在找个实验中开关应置为00110（连续、内 存读指令、组合逻辑、联机、16位），控 制开关的功能在开关上、下方有标识；开 关拨向上方表示“1”，拨向下方表示“0”， “X”表示任意，其它实验相同； * 实验操作 RAM（6116）支持即时读写，可直接用 A、E 命令 向扩展的存储器输入程序或改变内存单元的值。 RAM 中的内容在断电后会消失，重新启动实验机 后会发现内存单元的值发生了改变。 1 在命令行提示符状态下输入： E 2020↙ 屏幕将显示： 2020 内存单元原值: 按如下形式键入： 2020 原值：2222 （空格）原值：3333（空格）原值：4444（空格）原值：5555↙ * 实验操作（续） 断电后重新启动教学实验机，用 D 命令观察内存 单元 2020~2023的值。会发现原来置入到这几个 内存单元的值已经改变，用户在使用 RAM 时，必 须每次断电重启后都要重新输入程序或修改内存 单元的值。 * 实验操作（续） 2 A命令 RAM 芯片可直接用 A命令键入程序，但断电会丢 失，要再次调试该程序必须重新输入，对那些较 长的程序或经常用到的程序可通过交叉汇编，在 上位机生成代码文件，每次加电启动后不用重新 输入，只需通过 PCEC16 将代码文件传送给下位 机即可