R1-MFG-DIFF生产课简介-20071108-NEW.ppt

Depo Depo Depo FDK Original Recipe Profile FDK Shorten Recipe profile Temperature Stabilize Compare (2BFFD10) Depo FDK original recipe profile FDK shorten recipe profile Depo Depo Depo TC Shorten Temperature Stabilize Compare (DOFFD10) RTP基本构造外型 APPLIED MATERIALS Centura Mattson Helios Anelva i2300sre TEL Trias RTP Purpose RTP (Rapid Thermal Process) 高温快速热处理制程，包含高温快速热氧化 RTO (Rapid Thermal Oxidation) 和高温快速回火 RTA (Rapid Thermal Annealing)。 RTO 和 RTA 差别只是在反应炉（chamber）中通入不同气体以达到不同制程的需求。 RTO主要用于生长薄氧化层，是在反应炉中通入氧气进行氧化反应形成氧化层。 RTA是在反应炉中通入氩气或氮气等钝气，不进行任何的气体反应，只是利用高温进行回火，用于多项制程，如离子植入（ion implantation）及硅酸盐化（silicidation）之后，使晶格重排并消除应力，硼磷硅酸盐玻璃（Borophospho-silicate Glass （BPSG））的回火。 RTP(Rapid Thermal Processing)快速高温制程 RTP Furnace Rapid Thermal Oxide ( RTO ) ISSG(In Situ Steam Generation)：ISSG电性较佳 (lower leakage, higher breakdown) Gate Oxide : Si+H2+O2 → SiO2+H2O Gate Oxide Rapid Thermal Anneal ( RTA ) 原来晶格排列 IMP离子破坏晶格排列 回火恢复晶格排列 APPLIED MATERIALS Centura APPLIED MATERIALS Centura WET基本构造外型 WET Purpose 湿蚀刻是将芯片浸没于适当的化学溶液中，或将化学溶液喷洒至芯片上，经由溶液与被蚀刻物间的化学反应，来移除薄膜表面的原子，以达到蚀刻的目的。 湿式制程中的蚀刻及清洗使用大量的酸碱溶液，基本上有氢氟酸(HF)、硝酸(HNO3)、硫酸(H2SO4)、磷酸(H3PO4)、盐酸(HCI)及氨(NH3)等，使用时大都形成混合液(buffer solution)。 输入条件：酸碱溶液、比例、温度、时间 输出结果：微尘量与蚀刻率 WET Purpose What is WET need to RMV. Particle Metal Leakage current occur Break down voltage abnormal Threshold Voltage abnormal (flat band shift) WET Purpose Chemical compounds Inorganic Organic. PR Film Native OX Si3N4 Pyro- film Particle 什么是聚合物与光阻残? 处理前: 处理后: 聚合物 光阻残 WDD为什么要做Dummy? H3PO4 Components : Pure H3PO4 with DI spiking Temperature : 130 and 160 ℃ Application : Si3N4 RMV. Principle 蚀刻率过高会吃到OX 造成Pad Ox lost Pad Oxidation WDD Particle issue 160C 68C RT H3PO4 HQDR Si饱和浓度 从磷酸槽160c出来-室温25c-水槽68c，温度陡降导致Si凝结于Wafer表面 Si 解决方案：降低Si含量 1. 降低Dummy wafer蚀刻量 3200A-2500~3000A 2. 每Run 50pcs更换磷酸4.5L 3. 提高水温，增加清洗时间 WET机台分类 By