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半导体工艺简介 物理与光电工程学院 张贺秋 薄膜淀积（沉积） 为满足微纳加工工艺和器件要求，通常情况下关注薄膜的如下几个特性： 1、台阶覆盖能力 2、低的膜应力 3、高的深宽比间隙填充能力 4、大面积薄膜厚度均匀性 5、大面积薄膜介电\电学\折射率特性 6、高纯度和高密度 7、与衬底或下层膜有好的粘附能力 二种薄膜沉积工艺 化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition） 利用化学反应生成所需的薄膜材料，常用于各种介质材料和半导体材料的沉积，如SiO2, poly-Si, Si3N4…… 物理气相沉积（Physical Vapor Deposition） 利用物理机制制备所需的薄膜材料，常用于金属薄膜的制备，如Al, Cu, W, Ti…… 化学气相沉积装置 一．高温和低温CVD装置 二. 低压CVD装置 三. 激光辅助CVD装置 四. 金属有机化合物CVD装置 五. 等离子辅助CVD装置 金属有机化学气相沉积（Metal organic chemical vapor deposition ） 它是利用有机金属如三甲基镓、三甲基铝等与特殊气体如砷化氢、磷化氢等，在反应器内进行化学反应，并使反应物沉积在衬底上， 而得到薄膜材料的生产技术。 特点：使用有机金属化合物作为反应物。 作为有机化合物原料必须满足的条件： a）在常温左右较稳定，且容易处理。 b）反应生成的副产物不应妨碍晶体生长，不应污染生长层。 c）为了适应气相生长，在室温左右应有适当的蒸气压（≥1Torr）。 原料的优点： 这类化合物在较低的温度即呈气态存在，避免了液态金属蒸发的复杂过程。 存在问题 设备复杂、投资大、外延生长速度慢、经济效益差。 对晶体平滑度、稳定性和纯度等参数要过严格，缺陷和杂质会导致外延膜表面缺陷密度大。 尽管已广泛用于多种新型半导体器件制备，但其原子级生长机制仍很不清楚。 物理沉积PVD （Physical Vapor Deposition） 采用蒸发或溅射等手段使固体材料变成蒸汽，并在基底表面凝聚并沉积下来。 没有化学反应出现，纯粹是物理过程 物理沉积方法 Thermal Evaporation (热蒸发) E-beam Evaporation (电子束蒸发) Sputtering (溅射) Filter Vacuum Arc (真空弧等离子体) Thermal Oxidation (热氧化) Screen Printing (丝网印刷) Spin Coating (旋涂法) Electroplate (电镀) Molecular Beam Epitaxy (分子束外延) 热蒸发-几种典型结构 溅射技术 (Sputtering) 离子溅射技术物理过程 分子束外延 是一种可在原子尺度上精确控制外延厚度、掺杂和界面平整度的薄膜制备技术。物理沉积单晶薄膜方法；在超高真空腔内，源材料通过高温蒸发、辉光放电离子化、气体裂解，电子束加热蒸发等方法，产生分子束流。入射分子束与衬底交换能量后，经表面吸附、迁移、成核、生长成膜。 主要用于半导体薄膜制备（超薄膜、多层量子结、超晶格）； 新一代微波器件和光电子器件的主要技术方法 优点 源和衬底分别进行加热和控制，生长温度低 ，可形成超精细结构。 生长速度低，容易在过程中控制，有利于生长多层异质结构 是一个动力学过程，可以生长一般热平衡生长难以得到的晶体 。 生长过程中，表面处于真空中，利于实时监控检测。 * * 参考书：《芯片制造－半导体工艺制程实用教程》，电子工业出版社，赵树武等译，2004-10 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspo