电路与模拟电子技术习题集(模拟电子技术部分)1研讨.doc

洛阳理工学院 模拟电子技术 试卷（总） 单选题 1. 杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（B）。 A.温度；B.杂质浓度；C.电子空穴对数目；D其它 2. 稳压二极管稳压时应工作在（C）状态。 A．正向导通；B．反向截止；C．反向电击穿 ；D．反向热击穿 3. N型半导体是在本征半导体中掺入（C）；P型半导体是在本征半导体中掺入（A）。 A.三价元素，如硼等； B.四价元素，如锗等；C.五价元素，如磷等 4.PN结加正向电压时，有（A）形成电流，其耗尽层（D）；加反向电压时，由（B）形成电流，其耗尽层（C）。 A.扩散运动； B.漂移运动； C. 变宽； D.变窄 5.当温度升高时，二极管的反向饱和电流（A）。 A.增大； B.不变； C.减小 6.一个平衡PN结，用导线将P区和N区连起来，而导线中（ B）。 A.有微弱电流 B.无电流 C.有瞬间微弱电流 7.晶体管在大电流工作时，随Ic的增加β值将（ B ）。 A.增加； B.下降； C.不变 8.某三极管各电极电位如图1.1所示，由此可判断该三极管处于（A）。 A．放大状态 B．截止状态 C．饱和状态 9. 双极型三极管用于放大时，应使（B）。 A．发射结正偏、集电结反偏； B．发射结、集电结均正偏； C．发射结反偏、集电结正偏； D．发射结、集电结均反偏 10. 共射放大电路输出电压出现饱和失真时，是由于（B）造成的。 A．静态工作点过低； B.静态工作点过高； C.信号频率过高； D.信号频率过低 11．共射、共基、共集三种组态放大电路中，既有电压放大作用，又有电流放大作用的是（A）组态。 A．共射； B. 共基； C. 共集； D.三种都是 12. 测得NPN型三极管各电极对地的电位分别为Ve=2.1V，Vb=2.8V，Vc=4.4V，2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（ C ），该管是（ D）型。 A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 15.三极管的反向电流ICBO是由（B ）组成的。 A、多数载流子 B、少数载流子 C、多数载流子和少数载流子 16.射极跟随器具有（C）特点。 Ａ、电流放大倍数高　Ｂ、电压放大倍数高　Ｃ、电压放大倍数近似于１且小于１输入电阻高，输出电阻低 17．为了使一个电压信号能得到有效的放大，而且能向负载提供足够大的电流，应在这个信号源后面接入（A）电路。 A.共射；B.共集；C.共基 18．为了提高差动放大电路的共模抑制比，可用（B）替代公共发射极电阻Re。 A.恒压源；B.恒流源；C.大电容 19．为了减小零点漂移，集成运放的输入级大多采用（C）。 A．共射电路；B．共集电路；C．差分放大电路；D．乙类放大电路 20．减小零点漂移最有效的方法是采用（C）。 A．共射电路；B．共集电路；C．差分放大电路；D．乙类放大电路 21．图1.2所示集成运算放大器的UOPP=±20V，则输出电压Uo=（C）V。 A.0V； B.+4V； C.+20V； D. -20V 22. 对功率放大器的要求主要是（B ）、（C ）、（ E ）。 A.U0高； B.P0大； C.功率大； D.Ri大； E.波形不失真 23.共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（ A ）能力。 A.放大差模抑制共模； B.输入电阻高； C.输出电阻低 24.差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（B）倍。 A.1 ； B. 2； C. 3 25.差分放大电路是为了（ C ）而设置的。 A.稳定Au； B.放大信号； C.抑制零点漂移 26.直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是（C） A.电阻阻值有误差；B. 晶体管参数的分散性； C. 晶体管参数受温度的影响 27.互补输出级采用共集接法是为了使（D）。 A.电压放大倍数增大； B.抑制共模信号能力增强； C.最大不失真输出电压增大；D. 带负载能力强 28.功率放大电路与电压放大电路的共同之处是（C）。 A.都放大电压； B.都放大电流；C.都放大功率 29.当集成运放线性工作时，有两条分析依据（A ）（B ）。 A.U-≈U+ B.I-≈I+≈0 C. U0=Ui D.Au=1 30. 为了稳定静态工作点，应引入（B）。 A.交流负反馈；B. 直流负反馈；C.电