电力电子参考1分解.doc

电力电子参考资料------共十套 ============================================================================================================================================ 选择题 1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（ ） A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断 C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ ） A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作 C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度 5、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（ ） A、30°～150? B、0°～120° C、15°～125° D、0°～150° 6、桓流驱动电路中加速电容C的作用是（ ） A、加快功率晶体管的开通 B、延缓功率晶体管的关断 C、加深功率晶体管的饱和深度 D、保护器件 7、直流斩波电路是一种（ ）变换电路。 A、AC/AC B、DC/ACC、DC/DC D、AC/DC 8、为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（ ） A、du/dt抑制电路 B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路 D、吸收电路 9、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（ ） A、减小至维持电流以下 B、减小至擎住电流以下 C、减小至门极触发电流以下 D、减小至5A以下 10、IGBT是一个复合型的器件，它是（ ） A、GTR驱动的MOSFET B、MOSFET驱动的GTR C、MOSFET驱动的晶闸管 D、MOSFET驱动的GTO简答题（共3小题，22分） 1、简述晶闸管导通的条件与关断条件。（7分） 2、电压型逆变电路的主要特点是什么？（8分）3、简述实现有源逆变的基本条件，并指出至少两种引起有源逆变失败的原因计算题（共 1 小题，共20分） 1、电路如图所示，单相全控桥式整流电路接大电感负载，R=4Ω，U2=220V。 （1）触发角为60°时，(a) 试求Ud、Id、晶闸管电流平均值IdVT、晶闸管电流有效值IVT、变压器副边电流有效值I2；（b）作出ud、id、iVT2、i2 的波形图（图标清楚，比例适当）。 （2）当负载两端接有续流二极管时，（a）试求Ud、Id、IdVT、IVT、IVD、IdVD 、I2；（b）作出ud、id、iVT2、iVD、i2 的波形图（图标清楚，比例适当）。 选择题（共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分） B） 2、（D） 3、（C） 4、（C） 5、（D） 6、（A） 7、（C） 8、（B） 9、（A） 10、（B） 三、简答题（共 3 小题，共22分） 1、（7分）晶闸管导通的条件是：阳极承受正向电压，处于阻断状态的晶闸管，只有在门极加正向触发电压，才能使其导通。门极所加正向触发脉冲的最小宽度，应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流，即擎住电流ＩＬ以上。导通后的晶闸管管压降很小。使导通了的晶闸管关断的条件是：使流过晶闸管的电流减小至某个小的数值－维持电流ＩＨ以下其方法有二： （1）减小正向阳极电压至某一最小值以下，或加反向阳极电压；（2）增加负载回路中的电阻。2、（分）(1) 直流侧为电压源或并联大电容，直流侧电压基本无脉动；(2) 输出电压为矩形波，输出电流因负载阻抗不同而不同；(3) 阻感负载时需提供无功。为了给交流侧向直流侧反馈的无功提供通道，逆变桥各臂并联反馈二极管。3、（7分）（1）外部条件：要有一个能提供逆变能量的直流电源，且极性必须与直流电流方向一致，其电压值要稍大于Ud；（2）内部条件：变流电路必须工作于β90°区域，使直流端电压Ud的极性与整流状态时相反，才能把直流功率逆变成交流功率返送回电网。这两个条件缺一不可。 当出现触发脉冲丢失、晶闸管损坏或快速熔断器烧断、电源