电力电子技术自测习题集_NESOY分解.doc

第一章 电力电子器件 填空题： 　　1.电力电子器件一般工作在 开关 状态。 　　2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为 通态损耗 ，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为 开关损耗 。 　　3.电力电子器件组成的系统，一般由 控制电路 、 驱动电路 、 主电路 三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加 检测与保护电路 。 　　4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为 单极性 、 双极性 、 复合型 三类。 　　5.电力二极管的工作特性可概括为 单向导电性 。 　　6.电力二极管的主要类型有 整流二极管 、 快恢复二极管 、 肖特基二极管 。 　　7.肖特基二极管的开关损耗 小于 快恢复二极管的开关损耗。 　　8.晶闸管的基本工作特性可概括为 门极端 正向触发则导通、 阳极与阴极端的强电压 反向则截止。 　　9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL 大于 IH 。 　 10.晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值大小上应为UDRM 小于 Ubo。 　　11.逆导晶闸管是将 二极管 与晶闸管 反并联 （如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 　　12.GTO的 多元集成 结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 　　13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为 击穿 。 　　14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的 截止区 、前者的饱和区对应后者的 放大区 、前者的非饱和区对应后者的 饱和区 。 　　15.电力MOSFET的通态电阻具有 正 温度系数。 　　16.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而 降低 ，开关速度 低于 电力MOSFET 。 　　17.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是 功率集成电路 。 　　18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为 电流控制型 和 电压控制型 两类。 　　19.为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是 缓慢衰减 。 　　20.GTR的驱动电路中抗饱和电路的主要作用是 加快关断速度 。 　　21.抑制过电压的方法之一是用 RC电路 吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。在过电流保护中，快速熔断器的全保护适用于 小 功率装置的保护 。 　　22.功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用 快恢复 型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。 　　23.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是 静态均压 措施，给每只管子并联RC支路是 动态均压 措施，当需同时串联和并联晶闸管时，应采用 先串后并 的方法。 　　24.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有 负 温度系数， 在1/2或1/3额定电流以上区段具有 正 温度系数。 　　25.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是 Power Diode ，属于半控型器件的是 SCR ，属于全控型器件的是 GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT ；属于单极型电力电子器件的有 电力MOSFET ，属于双极型器件的有 Power Diode、SCR、GTO、GTR ，属于复合型电力电子器件有 IGBT ；在可控的器件中，容量最大的是 GT ，工作频率最高的是 电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET、IGBT ，属于电流驱动的是 SCR、GTO、GTR 。 简答题： 　　26.电力电子器件是如何定义和分类的？同处理信息的电子器件相比，它的特点是什么？ 　　27.应用电力电子器件的系统组成如题图1-27所示，试说明其中保护电路的重要意义？ 　　28.二极管的电阻主要是作为基片的低掺杂N区的欧姆电阻，阻值较高且为常量，为何二极管在正向电流较大时管压降仍然很低？ 　　29.二极管在恢复阻断能力时为什么会形成反向电流和反向电压过冲？这与它们的单相导电性能是否矛盾？这种反向电流在电路使用中会带来什么问题？ 　　30.使晶闸管导通的条件是什么？ 答： 使晶闸管导通的条件晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK0且uGK0。 31.维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答： 维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以