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脑缺血再灌注损伤机制及治疗进展
西安交通大学医学院第二附属医院麻醉科 710004
薛荣亮
脑缺血一定时间恢复血液供应后,其功能不但未能恢复,却出现了更加严重的脑机能障碍,称之为脑缺血再灌注损伤(cerebral ischemia reperfusion injury,CIR)。
脑缺血再灌注损伤与自由基的生成、细胞内钙超载、兴奋性氨基酸毒性、白细胞高度聚集和高能磷酸化合物的缺乏等有关。急性局灶性脑缺血引起的缺血中心区死亡以细胞坏死为主,目前认识的比较清楚,即脑缺血后5-7分钟内,细胞能量耗竭,K+通道受阻,膜电位降低,神经末梢释放谷氨酸,通过兴奋谷氨酸受体(包括NMDA 、AMPA和KA受体)致使细胞膜上的Ca2+通道开放,引起Ca2+超载,高Ca2+可激活NOS,使NO和氧自由基的形成增加,引发脂质过氧化,引起膜结构和DNA的损伤;Ca2+还可活化各种酶类,加剧细胞损伤和能量障碍,引发缺血级联反应,结果细胞水肿、细胞膜破裂,细胞内酶和炎性介质释放,引起细胞坏死。
近年来认识到半暗带区域于再灌注数天后出现了迟发性神经元死亡(DND),DND常出现在缺血再灌注后2-4日,主要发生在海马、纹状体及皮质区域,DND需要数日时间、有新蛋白质合成的、需要消耗能量的、为无水肿的细胞自杀过程,称之为细胞凋亡(PCD)。脑缺血再灌注损伤既包括急性细胞坏死也包括细胞凋亡,对于DND的确切机制目前仍不清楚,尚需进一步深入研究。
现对脑缺血再灌注损伤机制的研究进展及保护措施简述如下:
1.基因活化
脑缺血再灌注损伤后可出现大量基因表达,大约有374种基因出现变化,绝大多数基因与凋亡有关,其中57种基因的蛋白表达是缺血前的 1.7倍,而34种基因的表达量出现下降,均发生在4小时到 72小时, 包括蛋白质合成,基因突变,促凋亡基因,抑凋亡基因和损伤反应基因变化等,这些基因的相互作用最终决定了DND的发生。
2.兴奋性氨基酸毒性
兴奋性氨基酸毒性是指EAA受体活化而引起的神经元死亡,是脑缺血性损伤的重要触发物和介导物。EAA可活化胞内信号转导通路,触发缺血后致炎基因表达。CA1区神经细胞分布着大量的EAA受体,而抑制性氨基酸受体分布很小,这就为缺血后的兴奋性毒性提供了基础。另外,CA1区较CA3区对缺血损伤敏感是由于其兴奋性氨基酸受体的类型不同,CA1区以NMDA受体为主,CA3区以KA受体为主,而KA受体对缺血敏感性较差,可能是造成DND发生的重要原因。
3.自由基及脂质过氧化
脑缺血再灌注期间产生大量自由基。其有害作用可概括为:① 作用于多价不饱和脂肪酸,发生脂质过氧化。② 诱导DNA、RNA、多糖和氨基酸等大分子物质交联,交联后的大分子则失去原来的活性或功能降低。③ 促使多糖分子聚合和降解。自由基可广泛攻击富含不饱和脂肪酸的神经膜与血管,引发脂质过氧化瀑布效应(oxygen burst),蛋白质变性,多核苷酸链断裂,碱基重新修饰,细胞结构的完整性破坏,膜的通透性、离子转运、膜屏障功能均受到严重影响,从而导致细胞死亡。自由基还能导致EAA释放增加,促使脑缺血后DND发生。
4.热休克蛋白表达紊乱
热休克蛋白是在多种应激原的作用下生成的分子量为7-200KD的蛋白大家族,但研究的较多的是HSP70,有报道称CA1区神经细胞能表达大量的Hsp70mRNA,而脑缺血再灌注后CA1神经细胞Hsp70表达受到严重抑制。此外,Hsp70基因表达发生变化并不只出现在预处理之后,许多其它基因的表达水平也相继发生变化。
目前相继有证据发现脑缺血后HSP60 、HSP10、HSP40、HSC70 、hsc70, hsp90, hsp105和 trkB均可被诱导产生。
5.线粒体功能障碍
脑缺血再灌注后线粒体mRNA的表达紊乱可造成细胞能量产生进行性降低,ATP合成障碍,导致神经细胞死亡。再灌注早期免疫反应性减弱,其中在海马CA1区最明显。线粒体DNA编码13条氧化磷酸化所必需的多肽链及细胞色素氧化酶的3个亚基,因此线粒体DNA的表达紊乱可引起能量产生进行性衰竭,导致细胞死亡。
6. NO与脑缺血再灌注损伤
NO是一氧化氮合酶(NOS)催化下生成的起维持和调节血管张力的一种自由基,其广泛分布于神经组织。
NO脑保护方面的机制有:①作用于血管平滑肌,活化鸟氨酸环化酶产生GMP,钙依赖性钾通道开放,产生舒张血管作用,抑制粘附分子发挥抗血小板凝聚和白细胞粘附功能,使脑血流得以维持和改善。②通过巯基亚硝酸化及NMDA受体变构作用,限制EAA的细胞毒性作用。③在一定条件下消除OH,中断自由基的链式反应。
NO毒性方面的机制有:①与超氧阴离子形成过氧化亚硝酸(ONOO-),灭活线粒体MnSOD,促进大量自由基生成,介导氧化损伤。②抑制甘油酰-3-磷酸脱氢酶、肌酸激酶、顺乌
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