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第3章 MC9S12单片机的内核及片上资源 * §3-4 内部存储器—基本内存空间 MC9S12系列单片机片内有RAM、EEPROM和Flash，不同型号单片机有不同的存储器配置。 程序存储器和数据存储器统一编址，其地址空间可以通过设置相关寄存器重新定义。 以MC9S12DT128为例： 8KB RAM；2KB EEPROM； 128KB Flash。 存储器容量寄存器 1＝寄存器空间为2KB 0＝寄存器空间为1KB 存储器容量寄存器0－MEMSIZ0只读（默认值由芯片的型号决定） 详见下页表 EEPROM空间分配 00＝0 KB 01＝2 KB 10＝4 KB 11＝8 KB 例如：DG128复位时MEMSIZ0的值为$13，即表示有1KB的寄存器、2KB的EEPROM、8KB的RAM空间。 存储器容量寄存器 RAM_SW2-RAM_SW0：分配系统RAM存储空间 寄存器区映射寄存器－INITRG 指定内部寄存器区基址的高5位。 则最小基址是$0000，最大基址为$7FFF(D7=0决定)。 使用时，一般定位在$0000开始的1K中。 因为前256个字节可以用直接地址（8 bit地址）访问，如果定位在其它地方，应用扩展地址（16 bit地址码）访问。 RAM映射寄存器－INITRM 0=RAM和内部地址空间最低端对齐 1=RAM和内部地址空间最高端对齐 9S12DG128有8K RAM空 间，默认$0000~$1FFF， 若定位在$2000~$3FFF， 则INITRM值应为$39。 例： EEPROM映射寄存器－INITEE 0=禁用EEPROM 1=使能EEPROM 指定EEPROM基址的高5位。 例：DG128有2K的EEPROM。若给INITEE赋值为$09，则EEPROM区域就是$0800～$0FFF。 说明： 单片机内部有不同的I/O接口模块，对应的寄存器有几百个，这些存储器占用1KB的地址空间，这一I/O寄存器空间可以由用户任意定义到前32KB空间的任何一个2KB空间的前半部分。但是从$0000~$00FF这256个字节可以使用直接寻址方式。 EEPROM默认情况下也是从$0000开始的，因为优先级没有寄存器区高，所以复位以后有1KB的区域会被寄存器区覆盖，如果要使用全部的EEPROM，可以将其重新定义到其它空间，或将I/O寄存器移到其它空间。 说明： 3. 不同型号的单片机有不同容量的片内RAM，有2KB、4KB、8KB、12KB等。例如MC9S12DP256有12KB的RAM，可配置INITRM寄存器使RAM占据$1000~$3FFF的全部空间。如果单片机有8KB的RAM，可以定义到$2000~$3FFF。 4. $4000~$FFFF的48KB为Flash存储器空间，分成3块，每块16KB。最后16KB空间的最后256B（$FF00~$FFFF）是中断向量表空间。 内部寄存器 EEPROM RAM 16KB 固定Flash $3E 16KB 分页Flash $30 16KB 固定Flash $3F 中断向量区 $0000 $0400 $1000 $4000 $8000 $C000 $FF00 $FFFF $30 $31 $32 $33 $34 $35 $36 $37 $38 $39 $3A $3B $3C $3D $3E $3F Block3 Block2 Block1 Block0 由PPAGE寄存器（地址$30）决定某一页在$8000~$BFFF。 DP256片内有256KFlash，分16页，每页16K，一般定位：$4000~$7FFF 16K($3E) $C000~$FFFF 16K($3F) 内存以页面方式扩展 存储器优先级 上述三个寄存器INITRG、INITRM、INITEE负责将内部资源重新映射 若地址分配出现重叠，按优先级自动屏蔽级别较低的资源 存储器分配优先级： BDM ROM 寄存器区 RAM EEPROM Flash/ROM 外部扩展存储器 高 低 * $39为开始地址为0010,0000,0000,0000 – 3FFF正好8K,高/低对齐没有意义. 12KRAM为例,复位为0,内部地址空间为0000-3FFF,这是16K地址空间,高位对齐因为只有12K,所以从1000-3FFF. 第3章 MC9S12单片机的内核及片上资源 * * $39为开始地址为0010,0000,0000,0000 – 3FFF正好8K,高/低对齐没有意义. 12KRAM为例,复位为0,内部地址空间为0000-3FFF,这是16K地址空间,高位对齐因为只有12