可控硅参数说明及中文英文对照表.doc

可控硅参数说明及中英文对照表 符号 英文单词参数 中文参数 说明 单位 IT(AV) AVERAGE ON-STATE CURRENT 通态平均电流 国标规定通态平均电流为晶闸管在环境温度为40oC和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。这也是标称其额定电流的参数。同电力二极管一样，这个参数是按照正向电流造成的器件本身的通态损耗的发热效应来定义的。因此在使用时同样应按照实际波形的电流与通态平均电流所造成的发热效应相等，即有效值相等的原则来选取晶闸管的此项电流定额，并应留一定的裕量。一般选取其通态平均电流为按此原则所得计算结果的1.5-2倍。 A VTM Peak on-state voltage drop 通态峰值电压 指器件通过规定正向峰值电流IFM(整流管)或通态峰值电流ITM(晶闸管)时的峰值电压也称峰值压降该参数直接反映了器件的通态损耗特性影响着器件的通态电流额定能力。 V IDRM Maximum forward or reverse leakage current 断态重复峰值漏电流 为晶闸管在阻断状态下承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM时流过元件的正反向峰值漏电流该参数在器件允许工作的最高结温Tjm下测出。 mA IRRM Maximum reverse leakage current 反向重复峰值漏电流 mA IDSM ? 断态不重复平均电流 门极断路时，在额定结温下对应于断态不重复峰值电压下的平均漏电流。 A VTO On state threshold voltage 门 槛电压 　- V IT(RMS) ?On-State RMS Current (full sine wave) 通态电流均方值 　- A ITSM ?Non-Repetitive Peak on-state Current 通态浪涌电流(通态不重复峰值电流) 浪涌电流是指由于电路异常情况引起的使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流。浪涌电流有上下两个级，这个参数可用来作为设计保护电路的依据。 A IGM ?Forward Peak Gate Current 门极峰值电流 　- A I2T ?Circuit Fusing Consideration 周期电流平方时间积 　- A2ses dIT/dt ?Repetitive rate of rise of on-state current after triggering (IGT1~IGT3) 通态临界电流上升率 当双向可控硅或闸流管在门极电流触发下导通，门极临近处立即导通，然后迅速扩展至整个有效面积。这迟后的时间有一个极限，即负载电流上升率的许可值。过高的dIT/dt可能导致局部烧毁，并使T1-T2 短路。假如过程中限制dIT/dt到一较低的值，双向可控硅可能可以幸存。因此，假如双向可控硅的VDRM在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出或导通时的dIT/dt有可能被超出，可在负载上串联一个几μH的不饱和（空心）电感。 A/μs VDRM ?Repetitive peak off-state voltage 断态重复峰值电压 ?断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压.国标规定重复频率为50H，每次持续时间不超高10ms。规定断态重复峰值电压DRM为断态不重复峰值电压（即断态最大瞬时电压）UDSM的90%.断态不重复峰值电压应低于正向转折电压bo，所留裕量大小由生产厂家自行规定。UU V VRRM ? 反向重复峰值电压 在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。 VPP Non repetitive line peak pulse voltage 最高不重复线路峰值电压 　- v Visol ?R.M.S. isolation voltage from all three terminals to external heatsink 引脚到外壳最大绝缘电压 　- V PG(AV) ?Average gate power dissipation 门极平均散耗功率 　- W PGM ?Peak gate power 门极最大峰值功率 　- W PG(AV) Average Gate Power 门极平均功率 　- W Tj ?Operating Junction Temperature Range 工作结温 为了长期可靠工作，应保证 Rth j-a 足够低，维持Tj不高于80%Tjmax ,其值相应于可能的最高环境温度。 ℃ Tstg ?Storage Temperature Range 贮存温度 　- ℃ TL