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2017-03-24 发布于湖北
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半導体材料のエネルギービーム照射効果.pdf

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半導体材料のエネルギービーム照射効果

半導体材料のエネルギービーム照射効果半導体材料に加速器や電子顕微鏡をもちいてエネルギービーム（イオン?電子）を照射した場合の照射効果を調べている。エネルギービームが材料に与える照射損傷の研究に加えて、照射下という極端な非平衡状態での材料改質や新しいナノテクノロジー材料の創製も試みている。イオンビーム照射電子ビーム照射加速器によるイオンビーム照射透過型電子顕微鏡による電子ビーム照射最大加速電圧60kV 最大加速電圧30kV 最大加速電圧最大加速電圧 2MV 200kV 超高圧電汎用電子顕微鏡子顕微重イオン加速装置 @大阪大鏡@高 @京都大学原子炉学超高圧知工科実験所 FIB@高知電子顕微大学工科大学鏡セン 100nm ター 50nm N. Nitta et al., J. Appl. Phys. 92, 1799 (2002). 50nm 50nm イオン?電子の比較 N. Nitta et al., Philo. Mag. Lett. 91, 223 (2011). N. Nitta et al., Mater. Trans. 51, 1059 (2010). N. Nitta et al., Philo. Mag. Lett. 91, 676 (2011).