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bedea 管中管测试法 尽管用户经常需要通过屏蔽衰减指标来了解产品的屏蔽性能，但是对于接插件等短器件或短电缆， 在 GHz 频段以下，应用当前的测试方法只能测试出转移阻抗。而运用新开发的管中管测试方法可以将测 试转移阻抗和屏蔽衰减之间的截止频率降低到很低的频段，也就是说可以在很低的频段（低于 100 MHz）测试屏蔽衰减。 1. 总论 随着各种电器和电子设备的广泛应用，电磁污染日益加剧。为了减少这种电磁污染，在整个电子系 统中，所有单元组件尤其是连接电缆及接插件应当采取屏蔽措施。 为了对各种不同的屏蔽结构进行屏蔽效果的比较，就需要一个标准化的测量方法，来进行对屏蔽衰 减的测试，从而代替对转移阻抗的测试。而与以 mΩ/m 或 mΩ为计量单位的转移阻抗相比，RF 电缆、 电缆组件和接插件的用户也更加关注以分贝（dB）计量单位的屏蔽性能，即屏蔽衰减。 本文将主要介绍对于短电器元件比如接插件和组合电缆进行屏蔽衰减测试（代替转移阻抗测试）的 方法，该方法简便易行，具有高精确度和高重复性，被称为“管中管测试法”。 根据 IEC 61196-1 和 EN 50289-1-6 （见 wire 04/2000), 管中管测试法是三同轴测试法的延伸， 专门用于对接插件和组合电缆屏蔽性能的测试。 IEC TC46/WG 正在将该管中管测试法制定成测试屏蔽性能的国际标准 2. 物理理论基础 2.1表面转移阻抗ZT 一个短电缆（lλ/10）屏蔽网上的表面转移阻抗 Z 定义为单位长度上电缆一端屏蔽层上的感应电 T 压与电缆另一端屏蔽层上的干扰电流的比值，其单位为[mΩ/m]或以相对于 1Ω的分贝 dB 值表示，如图 1 所示： I2 I2 l λ/10 U1 图 1-表面转移阻抗 Z 的定义 T U1 Z T m?/m (1a) I 2 Z T dB(?) +20 ?log10 ???Z T ??? (1b) ?1?? 注：对于单个电器件（比如接插件或连接器件）而言，该转移阻抗就是该电器件的表面转移阻抗。 Bernhard Mund, bedea BerkenhoffDrebes GmbH, Herbornerstrasse 100, D-35614 Asslar, Germany, bmund@ bedea 2.2 屏蔽衰减 在同轴器件及以共模形式工作的带有屏蔽的对称器件上，输入功率 Pfeed 与由在外部回路上的最大感 应电压产生的最大散射功率 P 的对数比率被定义为屏蔽衰减 a 。 rad,max s 由此，一段长电缆（lλ/10）如同轴电缆的屏蔽衰减就被定义为电缆输入功率 P 与最大散射功