2014年苏州大学模电选择填空题汇编.doc

2014年苏州学院模电复习试题--仲济磊命制 （I） 一、填空题(本大题共10小题，每空1分，共10分) 请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。 1.变容二极管是利用PN结的势垒电容而制成的，应工作在 反偏 状态。 2.晶体三极管的三个电极对地电位分别为VA=-2V，VB=-2.2V，VC=-6V，则该管的管型是_PNP型锗管__。 3.负反馈放大电路产生自激振荡的条件是___AF=-1__。 4.MOS管作为开关应用时，其工作状态应在非饱和区和_截止区__之间转换。 5.晶体管的高频参数fT是指β(ω)下降到___0_dB时所对应的频率。 6.集成运算放大器最大输出电压为±Vom，若该运放工作在开环或正反馈状态，其输出电压是_正负Vom_。 7.在放大电路中，要稳定输出电压，应引入_电压_负反馈。 8.在差分放大器中，已知Vi1=15mv，Vi2=10mv，则输入差模电压Vid=_5mv=Vi1-Vi2_。 9.理想集成运放的共模抑制比为__正无穷大，因此具有很强的抑制共模信号的能力。 10.场效应管工作在饱和区时，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈_平方_关系。 二、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.二极管的伏安方程是( A ) A.iD=Is(-1) B.iD=Is C.iD=-Is D.iD=Is 2.晶体三极管工作在饱和状态时，其两个PN结的偏置状态是( A ) A.发射结正偏，集电结正偏 B.发射结正偏，集电结反偏 C.发射结反偏，集电结正偏 D.发射结反偏，集电结反偏 3.场效应管共漏极放大电路的信号是从( C ) A.栅极输入，漏极输出 B.源极输入，漏极输出 C.栅极输入，源极输出 D.漏极输入，源极输出 4.设计一运算电路实现三角波——方波的变换，应选用______实现。( D ) A.同相比例电路 B.反相比例电路 C.积分电路 D.微分电路 5.当集成运放工作在线性放大状态时，可运用______两个重要的概念。( B ) A.开环和闭环 B.虚短和虚断 C.虚短和虚地 D.线性和非线性 6.要增大放大器的输出电阻及减小输入电阻，可采用______放大电路。( A ) A.电流并联负反馈 B.电压并联负反馈 C.电流串联负反馈 D.电压串联负反馈 7.由运算放大器构成的电压比较器，抗干扰能力最强的是( C ) A.单限电压比较器 B.过零电压比较器 C.迟滞电压比较器 D.窗口电压比较器 8.负反馈放大电路的开环增益是A，反馈系数为kf，则闭环增益Af的表达式是( A ) A. B. C.Akf D.1+Akf 9.设计一负反馈放大器，实现电压——电流的变换，应引入( C ) A.电压串联负反馈 B.电压并联负反馈 C.电流串联负反馈 D.电流并联负反馈 10.放大电路在信号的高频段时，放大倍数下降的原因是( B ) A.耦合电容和旁路电路的存在 B.晶体管极间电容和分布电容的存在 C.晶体管非线性的影响 D.放大电路的静态工作点设置不合理 11.放大器产生零点漂移的主要原因是( B ) A.电压增益太大 B.环境温度变化 C.采用直接耦合方式 D.采用阻容耦合方式 12.由NPN管组成的单级共发射电路，当集电极电阻Rc增大时，工作点Q的ICQ和VCEQ的变化是( C ) A.ICQ增大、VCEQ增大 B.ICQ增大、VCEQ减小 C.ICQ不变、VCEQ减小 D.ICQ不变、VCEQ不变 13.随着温度的升高，晶体三极管的______将减小。( B ) A.β B.VBE(on) C.ICBO D.ICEO 14.集成运算放大电路的输入级通常采用______电路。( C ) A.共集电极放大 B.共发射极放大 C.差分放大 D.共基极放大 15.设计一单级晶体管放大器，要求输入电阻大，输出电阻小，应选择______电路。( D ) A.共发射极放大 B.共基极放大 C.共源极放大 D.共集电极放大 （II） 一、填空题(本大题共10小题，每小题1分，共10分) 请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。 1.在N型半导体中，掺入__+5__价杂质元素。 2.半导体中有__自由电子__和空穴两种载流子。 3.晶体三极管工作在放大状态时，其发射结应正偏，集电结应__反偏___。 4.PNP型晶体三极管处于放大状态时，三个电极中_发射__极电位最高。 5.N沟道MOS管，VGS越向正值方向增大，ID越_大___。 6.MOS场效应管按栅极开路时有无导电沟道分为增强型和_耗尽