温度对碲镉汞光伏芯片IV特性的影响.pdf

二oO六年全国光电技术学术交流会会议论文集(F) 温度对碲镉汞光伏芯片厶y特性的影响 刘大福，袁永刚，龚海梅 (中科院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室，上海200083) 摘要l对室温工作的短波碲镉汞光伏芯片进行了步进温度烘烤实验．烘烤温度从60℃开始，温度步长 为5℃，到120℃结束，每个温度下的烘烤时间一般在24h。实验结果显示当烘烤温度达到95℃以上时， Ly测试结果中反偏部分的电流有明显增大．通过理论分析得到扩散电流和产生复合电流是实验芯片的主要电 流机制；较高温度的烘烤在势垒区内产生大量的缺陷，从而降低芯片的少子寿命，使扩散电流增大；同时芯 片表面钝化层内的缺陷数目也在温度作用下增加，引起芯片表面复合速度增加． 关键词l烘烤； ／-Ⅵ 碲镉汞； 电流机制 中圈分类号：TN215 文献标识码：A effectonI-vcharacteristicsofthe diodes Temperature HgCdTe LIU Hai-mei Da-fu，YUAN Yong—gang，GONG LaboratoriesofTransducer InstituteofTechnical of Technology,ShaⅡghai AcademySciences，Shanghai200083，China) (StateKey Physics,Chinese werecarriedon short diodeswhich Abstract：Step-temperaturebakingexperiments HgCdTewavelength to a5C showed workedatroom from60*(2120℃with ranged step．Results temperature．nebakingtemperature thatthereversecurrentincreased when than95C．Theoreticalshowed obviouslybakingtemperaturehigher analyses diffusion alsoshowedthenumberof themaincurrentmechanismsofthe were currentand current．It samples g．r defectsin increasedat whichdecreasedthecarrierlifetimeandthedefectsinthe depletionregion highertemperature the resultedintheincreasesurface surfacealsoincreasedwiththe of baking which