二章电子技术基础.pptVIP

2. PN 结加反向电压（反向偏置） 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 二极管电路分析举例 17.2.2 负反馈对放大电路性能的影响 1. 降低放大倍数 3. 改善波形失真 4.展宽通频带 5. 对输入电阻的影响 3. 起振及稳幅振荡的过程 4. 正弦波振荡电路的组成 一、 RC振荡电路 2. RC串并联选频网络的选频特性 3. 工作原理 (2) 稳定振荡 带稳幅环节的电路(1) 带稳幅环节的电路(1) 带稳幅环节的电路(2) 带稳幅环节的电路（2） （2） 三点式 LC振荡电路 1. 电感三点式振荡电路 （3） 电容三点式振荡电路 传输系数： 。 。 R C R C 。 + – + – 。 式中 ： 分析上式可知：仅当 ? = ?o时， 达最大值，且 u2 与 u1 同相 ，即网络具有选频特性，fo决 定于RC 。 u1 u2 u2 与 u1 波形 相频特性 ?（f） fo 幅频特性 f fo 1 3 输出电压 uo 经正反馈（兼选频）网络分压后，取uf 作为同相比例电路的输入信号 ui 。 (1) 起振过程 ?A = 0，仅在 f 0处 ?F = 0 满足相位平衡条件，所以振荡频率 f 0= 1 ? 2?RC。 改变R、C可改变振荡频率 RC振荡电路的振荡频率一般在200KHz以下。 (3) 振荡频率 振荡频率由相位平衡条件决定。 振荡频率的调整 + + ∞ RF R C C – uO – + S S R1 R2 R3 R3 R2 R1 改变开关K的位置可改变选频网络的电阻，实现频率粗调； 改变电容C 的大小可实现频率的细调。 振荡频率 （4）起振及稳定振荡的条件 稳定振荡条件?AuF ?= 1 ，| F |= 1/ 3，则 起振条件?AuF ? 1 ，因为 | F |=1/ 3，则 考虑到起振条件?AuF ? 1, 一般应选取 RF 略大2R1。如果这个比值取得过大，会引起振荡波形严重失真。 由运放构成的RC串并联正弦波振荡电路不是靠运放内部的晶体管进入非线性区稳幅，而是通过在外部引入负反馈来达到稳幅的目的。 热敏电阻具有负温度系 数，利用它的非线性可以 自动稳幅。 在起振时，由于 uO 很 小，流过RF的电流也很小， 于是发热少，阻值高，使 RF 2R1；即?AuF?1。 随着振荡幅度的不断加强， uO增大，流过RF 的电流也 增大，RF受热而降低其阻 值，使得Au下降，直到RF=2 R1时，稳定于?AuF?=1， 振荡稳定。 半导体 热敏电阻 R + + ∞ RF R1 C R C – uO – + 热敏电阻具有负温度系数，利用它的非线性可以自动稳幅。 半导体 热敏电阻 R + + ∞ RF R1 C R C – uO – + 稳幅过程： 思考： 若热敏电阻具有正温度系数，应接在何处？ uo t RF Au ID UD 振荡幅度较小时 正向电阻大 振荡幅度较大时 正向电阻小 利用二极管的正向伏安特性的非线性自动稳幅。 R + + ∞ RF2 R1 C R C – uO – + D1 D2 RF1 稳幅环节 1. 输入特性 特点:非线性 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6~0.7V PNP型锗管 UBE ? ?0.2 ~ ? 0.3V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V O 2. 输出特性 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大区 输出特性曲线通常分三个工作区： (1) 放大区 在放大区有 IC=? IB ，也称为线性区，具有恒流特性。 在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O （2）截止区 IB 0 以下区域为截止区，有 IC ? 0 。 在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。 饱和区 截止区 （3）饱和区 当UCE? UBE时，晶体管工作于饱和状态。 在饱和区，?IB ?IC，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。 深度饱和时， 硅管UCES ? 0.3V， 锗管UCES ? 0.1V。 3.主要参数 1. 电流放大系数，? 直流电流放大