嵌入式软件开发基础实验报告存储器及IO接口.doc

上海电力学院 嵌入式软件开发基础实验报告 题目：【ARM】 存储器实验4.1及 I/O接口实验4.2 专业： 电子科学与技术 年级： 姓名： 学号： 4.1存储器实验 一、实验目的 （1）通过实验熟悉ARM的内部存储空间分配； （2）掌握对存储区域进行访问的方法。 （3）熟悉用寄存器配置存储空间的方法。 二、实验设备 硬件：Embest EduKit-III 实验平台，Embest ARM 标准/增强型仿真器套件，PC 机。 软件：Embest IDE Pro ARM 集成开发环境，Windows 98/2000/NT/XP。 三、 实验内容 掌握 S3C44B0X 处理器对存储空间的配置和读写访问的方法， 熟练使用命令脚本文件对 ARM 存储控制寄存器进行正确配置； 使用汇编编程，对 RAM 按字、半字和字节读写； C 语言编程，对 RAM 按字、半字和字节读写。 四、实验原理 1. 存储控制器 S3C44B0X 处理器的存储控制器可以为片外存储器访问提供必要的控制信号，它主要包括以下特点： 支持大、小端模式（通过外部引脚来选择）地址空间。 包含 8 个地址空间，每个地址空间的大小为 32M 字节，总共有 256M 字节的地址空间。 所有地址空间都可以通过编程设置为 8 位、16 位或 32 位对准访问。 8 个地址空间中，6 个地址空间可以用于 ROM、SRAM 等存储器，2 个用于 ROM、SRAM、FP/EDO/SDRAM 等存储器。 7 个地址空间的起始地址及空间大小是固定的。 1 个地址空间的起始地址和空间大小是可变的。 所有存储器空间的访问周期都可以通过编程配置。 提供外部扩展总线的等待周期。 支持 DRAM/SDARM 自动刷新。 支持地址对称或非地址对称的 DRAM。 2. 电路设计 Embest EduKit-III 实验板上的存储系统包括一片 1M×16bit 的 Flash （SST39VF160）和一片 4M ×16bit 的 SDRAM （HY57V65160B）。 如图 4-2 Flash 连接电路所示，处理器是通过片选 nGCS0 与片外 Flash 芯片连接。由于是 16bit的 Flash，所以用 CPU 的地址线A1-A20 来分别和 Flash 的地址线A0-A19 连接。Flash 的地址空间是从 00 五、实验操作步骤 1. 准备实验环境 使用 Embest 仿真器连接目标板，使用 Embest EduKit-III 实验板附带的串口线，连接实验 板上的 UART0 和 PC 机的串口。 2. 串口接收设置 在 PC 机上运行 windows 自带的超级终端串口通信程序（波特率 115200、1 位停止位、无校验位、无硬件流控制）；或者使用其它串口通信程序。 3. 打开实验例程 1) 拷贝光盘 CD1\Software\EduKit44b0 文件夹到 EmbestIDE\Examples\Samsung\ 目录下； 2) 使用 Embest IDE 通过 Embest JTAG 仿真器连接实验板，打开实验例程目录4.1_memory_test 子目录下的 memory_test.pjf 例程，编译链接工程； 3) 点击 IDE 的 Debug 菜单，选择 Remote Connect 项或 F8 键，远程连接目标板； 4) 点击 IDE 的 Debug 菜单，选择 Download 下载调试代码到目标系统的 RAM 中； 5) 打开 Memory 窗口，点击 Memory1 在地址输入栏中输入 0x0c010000，点击 Memory2 在地址输入栏中输入 0x0c020000； 6) 在工程管理窗口中双击 main.c 就会打开该文件，分别在 s_ram_test();以及 c_ram_test();设置断点后，点击 Debug 菜单 Go 或 F5 键运行程序； 7) 当程序停留到断点后点击 Debug 菜单下的 Step into 或 F11 键，进入函数体程序，再点击Step over 或 F10 键执行程序，并在 Memory 窗口观察地址单元 0x0c010000 和 0x0c020000 内容的变化； 六、 实验参考程序 /******************************************************************* * 名称: sRWramtest * 功能: 使用汇编语言读/写已初始化的ARM