电子模拟.doc

第七章.晶体二极管及二极管整流电路 第一节.识记二极管单向导电性，二极管伏安特性和主要参数； 7.1.1.1.半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若降低环境温度导电能力会减弱。（对） （中等难度） 7.1.1.2.用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（错） （容易） 7.1.1.3.在P型半导体中，少数载流子是空穴，多数载流子是电子。（F） （容易） 7.1.1.4.用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。 （×） （容易） 7.1.1.5.PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。 （×） （容易） 7.1.1.6. N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。（对） （容易） 7.1.1.7 .二极管和三极管都是非线性器件。（ T ） （容易） 7.1.1.8.二极管加反向电压时，形成很小的反向电流，在电压不超过某一范围时，二极管的反向电流随反向电压的增加而基本不变（对） （容易） 7.1.1.9.P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。 （错） （容易） 7.1.3.1.P型半导体的多数载流子是（ B ）。 （容易） A. 电子 B. 空穴 C. 电荷 D. 电流 7.1.3.2.晶体硅或锗中，参与导电的是（ D ）。 （中等难度） A.离子 B.自由电子 C.空穴 D.B和C 7.1.3.3.下列说法正确的是（ C ）。 （中等难度） A.N型半导体带负电 B.P型半导体带正电 C.PN结型半导体为电中性体 D.PN结内存在着内电场，短接两端会有电流产生 7.1.3.4.N型半导体的多数载流子是（ B ）。 （容易） A.电流 B.自由电子 C.电荷 D.空穴 7.1.3.5.关于P型．N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是（ A ）。 （容易） A.无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴 B.P型半导体中只有空穴导电 C.N型半导体中只有自由电子参与导电 D.在半导体中有自由电子．空穴．离子参与导电 7.1.3.6.稳压二极管是利用PN结的（ A ）来实现稳压性能的。 （容易） A.反向击穿特性 B.正向导通性 C.反向截止性 D.单向导电性 7.1.3.7.锗二极管导通时，它两端电压约为（ C ）。 （容易） A.1V B.0.7V C.0.3V D.0.5V 7.1.3.8.关于N型半导体的下列说法，错误的是（ C ）。 （容易） A.自由电了是多数载流子 B.在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极 C.在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体 D.在PNP 型 晶体管中，基区是N型半导体 7.1.3.9.半导体的导电能力随温度升高而（ ），金属导体的电阻随温度升高而（ C ）。 （容易） A.降低/降低 B.降低/升高 C.升高/降低 D.升高/升高 7.1.3.10. PN结呈现正向导通的条件是( B )。 （容易） A. P区电位低于N区电位 B. N区电位低于P区电位 C. P区电位等于N区电位 D. 都不对 7.1.3.11.在半导体PN结两端加（ B ）就可使其导通。 （容易） A.正向电子流 B.正向电压 C.反向电压 D.反向电子流 7.1.3.12二极管的