二极管及三极管.ppt

7.1.2 N型半导体和P型半导体 杂质半导体的示意表示法 7.2 PN 结 7.2.1 PN结的形成 二、 PN结的单相导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 7.3 半导体二极管 7.3.1 基本结构 7.3 半导体二极管 7.3.1 伏安特性 7.3.3 主要参数 二极管电路分析举例 7.4 稳压二极管 3. 主要参数 7.5 半导体三极管 7.5 基本结构 7.5.2 电流放大原理 2. 各电极电流关系及电流放大作用 发光二极管 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似，正向电压较一般二极管高，电流为几 ~ 几十mA 符号 前一页 后一页 返回 B E C N N P 基极 发射极 集电极 P N P 集电极 基极 发射极 B C E NPN型 PNP型 后一页 前一页 返回 B E C N N P 基极 发射极 集电极 后一页 前一页 集电区：面积最大 基区：最薄，掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 返回 符号： B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管 型号： 3A、3C是PNP 3B、3D是NPN 3A、3B是锗管 3C、3D是硅管 后一页 前一页 返回 B E C N N P EB RB EC RC 1. 三极管放大的外部条件 发射结正偏、集电结反偏 PNP VBVE VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 后一页 前一页 返回 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.001 0.50 1.00 1.70 2.50 3.30 0.001 0.51 1.02 1.73 2.54 3.35 结论 1）三电极电流关系 IE = IB + IC 2） IC ? IE ， IC ?? IB 3） ? IC ?? ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化。 跳转 后一页 前一页 返回 3. 三极管内部载流子的运动规律 B E C N N P EB RB EC 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 IE 　进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 IBE 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 ICE 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 ICBO 后一页 前一页 3. 三极管内部载流子的运动规律 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO IC IB IC=ICE+ICBO?ICE 后一页 前一页 IB=IBE-ICBO?IBE 返回 ICE 与IBE 之比称为共发射极电流放大倍数 集－射极穿透电流 温度? ? ICEO? 常用公式 后一页 前一页 返回 7.5.3 特性曲线 即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。 为什么要研究特性曲线： 1）直观地分析管子的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 后一页 前一页 返回 实验线路 输入回路 输出回路 　发射极是输入、输出回路的公共端 EB IC mA ?A V UCE UBE RB IB EC V 共发射极电路 ? 后一页 前一页 返回 1. 输入特性 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V 特点:非线性 死区电压：硅管0.5V，锗管0.2V。 工作压降： 硅UBE ? 0.6~0.7V, 锗UBE ? 0.2~0.3V。 后一页 前一页 返回 * * （下） 第7章 半导体二极管和三极管 返回 第7章 半导体二极管和三极管 返回 后一页 7.3 半导体二极管 7.4 稳压二极管 7.5 半导体三极管 7.2 PN结 7.1 半导体的导电特性 返回 前一页 后一页 第7章 半导体二极管和三极管 本章要求： 一、了解PN的单向导电性、二极管的特性和 主要参数。 二、了解稳压管的稳压性能和主要参数。 三、了解三极管的电流放大作用、特性和主 要参数。 四、会根据二极管的单向导电