二极管三极管复习.ppt

半导体的导电能力 半导体的特性 什么是本征半导体 什么是本征激发、复合 半导体内部存在几种导电方式 杂质半导体可以分为几种 半导体器件的核心 PN结中内电场的方向 PN结最重要的特性 二极管的类型 二极管的符号 二极管的伏安特性 最高反向工作电压通常是多少 2CZ11A 稳压管的材料 稳压管、发光二极管、光电二极管工作区间 稳压管的电压温度系数的分界数 发光二极管、光敏二极管的符号 三极管的组成 三极管的类型 三极管的结构 三极管的三种接法 三极管的基本作用 三极管输出特性的三个区域 放大电路的作用 电容在交直流的作用，如何分析 共射极的输出电压和输入电压的相位差 有哪几种失真方式 是非题 填空题 选择题 综合题 Page ? * Page ? * Page ? * Page ? * 第四单元 半导体二极管和三极管复习 第一节 半导体的基础知识 第二节 半导体器件的核心——PN结 第三节：半导体二极管 第四节：特殊半导体二极管 第五节：半导体三极管 第六节：基本放大电路 绝缘体导电能力导体 热敏性、光敏性、掺杂性 纯净无杂质的半导体 价电子获得能量激发一对电子和空穴的过程 电子导电、空穴导电 N型半导体、P型半导体 PN结 N指向P 单向导电性 点接触型、面接触型 正向、反向、反向击穿 取反向击穿的一半 有整流作用的硅二极管 硅二极管 反向击穿区、正向导通、反相接法 6V 由两个PN结组成 NPN型、PNP型 基极B、发射极E、集电极C 共基极、共发射极、共集电极 放大电信号 截止区、放大区、饱和区 把微弱电信号转变成较强的电信号 直流中看成开路，交流看成短路 180 截止失真、饱和失真 1）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。（ ） × 2）在N型半导体中掺入足够量的三价元素可将其改型为P型半导体。（ ）  √ 3）放大器通常用ib、iC、vce表示静态工作点。 （ ） 4）为消除放大电路的饱和失真，可适当增大偏置电阻RB。（ ） √ √ 5）在基本放大电路中，输入耦合电容C1的作用是隔交通直。 （ ） × 6） 放大器的输出与输入电阻都应越大越好。 （ ） × 7）放大器Au = －50，其中负号表示波形缩小。 （ ） × 8）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。（ ） √ 9）当二极管两端正向偏置电压大于死区电压，二极管才能导通。（ ） √ 10）半导体二极管反向击穿后立即烧毁。（ ） × 1、三极管的内部结构是有 、 、 及 结和 结组成的。三极管对外引出的电极分别是 极、 极、 极。 发射区 基 区 集电区 发射 集电 发射 基 集电 2、二极管有 个PN结，二极管的主要特性是 ，三极管有 个PN结，三极管的主要作用是 。 3、二极管的电路符号 ，稳压管的电路符号 ，三极管的电路符号 , 。 1 单向导电性 2 电流放大 NPN PNP 4、三极管的三种工作状态是 , , 饱和 放大 截止 5、三极管的偏置情况为 时，三极管处于饱和状态。 发射结正向偏置，集电结反向偏置 6、若静态工作点选得过高，则产生 失真 饱和 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （4）当NPN型三极管的VCE VBE且VBE 0.5V时，则三极管工作在 （ ） A、截止区 B、放大区 C、饱和区 D、击穿区 （5）在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体，加入 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 （6）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 （7）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 。 A. 83 B. 91 C. 100 Ａ Ａ Ｃ Ｂ Ｂ Ｃ Ａ Ｃ