广工半导体物理与器件总复习2讲述.ppt

复习内容 一、 基本概念 1 突变结，线性缓变结，单边突变结 2. 空间耗尽区，耗尽层近似： 3.正向注入（扩散），反向抽取（漂移） 正偏时：扩散流大于漂移流，n区电子扩散到p区（-xp)处积累成为p区的少子；p区的空穴扩散到n 区的（xn）处积累成为n区的少子。这一过程称为正向注入。 反偏时：p区的电子漂移到n区，n区的空穴漂移到p区，这一过程称为反向抽取 二极管的基本原理和公式 （1）pn结空间耗尽区的电荷、电场、电势的分布 （2）pn结的内建电势 4.二极管的存贮延迟时间和反向恢复时间及其物理根源 存贮延迟时间和反向恢复时间的定义？ 5.功函数，电子亲和势， 6.欧姆接触、整流接触 二 画图题 平衡态时pn结，nn结，pp结的能带图 pn结均匀突变结和线性缓变结的空间耗尽区的电荷、电场、电势的分布图 3. 整流接触和欧姆接触的能带图（四种情况、平衡态，非平衡态） 4.发射区的发射效率、基区传输系数和三极管的放大系 数的定义 四。画图题 三极管在平衡态下的能带图、电荷、电场、电势的分布图 * * 半导体物理与器件复习2 突变结 线性缓变结 杂质分布 x0, N(x)=NA x0, N(x)=ND N(x)= ax 0 xn -xp eNd ? 单边突变结 线性缓变结（耗尽近似） p+n结 pn+结 耗尽近似是对实际电荷分布的理想近似，包含两个含义： （1）在冶金结附近区域，-xpxxn,与净杂质浓度相比，载流子浓度可忽略不计 （2）耗尽区以外的电荷密度处处为0。 （3）理想pn结的I-V特性关系式 （4）pn结定律 势垒电容C j：形成空间电荷区的电荷随外加电压变化 扩散电容Cd：p-n结两边扩散区中，当加正向偏压时，有少子的注入，并积累电荷，它也随外 电压而变化.扩散区的电荷数量随外加电 压的变化所产生的电容效应。 物理根源：正偏时，电子从n区注入到p区，空穴从p区注入到 n区，在耗尽层边界有少子的积累。导致p-n结内有等量的过剩电子和空穴-电荷的存储。突然反向时，这些存储电荷不能立即去除，消除存储的电荷有两种途径：复合和漂移。都需要经过一定时间ts, p-n结才能达到反偏状态。 真空能级E0:电子完全脱离材料本身的束缚所需的最小能量 功函数：从费米能级到真空能级的能量差 电子亲和势：真空能级到价带底的能量差 肖特基势垒高度： ?B=?M-? 半导体一边的内建电压： Φm Φs Φm Φs Φm Φs Φs Φs 金属和p型半导体接触 第十四章 习题14.3 判断MS接触的类型 1. 基本要求 基区宽度远远小于少子扩散长度：增大基区输运系数 NENBNC：增大发射系数 发射区 收集区 发射结 收集结 发射极 收集极 基极 基区 PNP NPN 复习内容 偏置模式 E-B极性 C-B极性 放大 正偏 反偏 饱和 正偏 正偏 截止 反偏 反偏 倒置 反偏 正偏 5. 三极管的四种偏置模式下VEB和VCB的极性