AET_01_半导体器件解读.ppt

UGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。 P N N G S D UDS UGS 1-* P N N G S D UDS UGS 当UDS不太大时，导电沟道在两个N区间是均匀的。 当UDS较大时，靠近D区的导电沟道变窄。 1-* P N N G S D UDS UGS 夹断后，即使UDS 继续增加，ID仍呈恒流特性。 ID UDS增加，UGD=VT 时，靠近D端的沟道被夹断，称为予夹断。 1-* 三、增强型N沟道MOS管的特性曲线 转移特性曲线 0 ID UGS VT 1-* 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS0 1-* 四、耗尽型N沟道MOS管的特性曲线 耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 转移特性曲线 0 ID UGS VT 1-* 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS=0 UGS0 UGS0 1-* 1.4.3 场效应管类型与特征 列表对比见教材P49。 1-* 例1： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k?， 当USB = -2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？ IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE 1-* 解：由于 ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? （1）当USB =-2V时： IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE IB=0 ， IC=0 首先计算最大饱和电流IC ： Q位于截止区 1-* 即IC ICmax (=2mA) ， Q位于放大区。 IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE （2）当USB =2V时： 1-* （3）当USB =5V时: IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE Q 位于饱和区，此时IC 和IB 已不是 ? 倍的关系。 1-* 三、主要参数 前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。 共射直流电流放大倍数： 工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC，则交流电流放大倍数为： 1. 电流放大倍数和 ? 1-* 例如：UCE=6V时：IB = 40 ?A, IC =1.5 mA； IB = 60 ?A, IC =2.3 mA。 在以后的计算中，一般作近似处理：? = 1-* 2.集-基极反向截止电流ICBO ?A ICBO ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。 1-* B E C N N P ICBO ICEO= ? IBE+ICBO IBE ? IBE ICBO进入N区，形成IBE。 根据放大关系，由于IBE的存在，必有电流?IBE。 集电结反偏有ICBO 3. 集-射极反向截止电流ICEO ICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 1-* 4.集电极最大电流ICM 集电极电流IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 5.集-射极反向击穿电压 当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。 1-* 6. 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳 热为： PC =ICUCE 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。 PC?PCM IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 1-* 场效应管与双极型晶体管不同，它是多子导电，且输入阻抗高、温度稳定性好。 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS 场效应管有两种: §1.4 场效应晶体管 1-* N 基底 ：N型半导体 P P 两边是P区 G(栅极) S源极 D漏极 一、结构 1.4.1 结型场效应管: 导电沟道 1-* N P P G(栅极) S源极 D漏极 N沟道结型场效应管 D G S D G S 1-* P N N G(栅极) S源极 D漏极 P沟道结型场效应管 D G S D G S 1-* 二、工作原理（以P沟道为例） UDS=0V时 P G S D UDS UGS N N N N ID PN结反偏，UGS越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 1-* P G S D UDS UGS N N ID UDS=0V时 N N UGS越大耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。 但当UGS较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间