射线检测通用技术III.docVIP

射线检测通用技术III级考试大纲 1. 无损检测概论（见第一篇第三章） 2. 射线检测物理基础 2.1 原子与原子结构 2.1.1 元素与原子 a. 元素、元素周期（C） b. 原子（C） 2.1.2 原子粒子 a. 原子核（C） b. 质子、中子、电子；（C） 2.1.3 原子运动 力、库仑力（C） 电离（C）（C）（C）（C）（C） a. 操作程序（C） b. 训机过程（C） c. 维护保养（C） 3.2 γ射线设备 3.2.1 γ射线设备的特点（C） 3.2.2 γ射线设备的基本结构（C） 3.2.3 γ射线的工作过程（B） 3.2.4 γ射线源 常用源（铱192、钴60、硒75、铯137、铥170）的能量（C） 常用源（铱192、钴60、硒75、铯137、铥170）的半衰期（B） 3.3 射线照相胶片 3.3.1 胶片的构造和原理 胶片结构 ：片基、结合层、感光乳剂层、保护层（C） 潜影形成（C） 3.3.2 胶片分类 按感光度分类（C） 按粒度分类（C） 3.3.3 胶片感光特性 底片黑度（B） 感光特性曲线（C） 感光度、灰雾度、梯度、宽容度（B） 3.4 增感屏 3.4.1 增感作用（C） 3.4.2 增感屏主要类型和特点 金属增感屏结构、原理及特点（B） 荧光增感屏及特点（C） 金属荧光增感屏（C） 3.4.3 铅箔增感屏的结构、特点（A） 3.5 像质计 3.5.1 像质计的作用与分类（B） 3.5.2 金属丝型像质计 规格（B） 象质指数（A）（B） 概念（B） 对检测的影响（B） 4.2 透照工艺条件的选择 4.2.1 射线和能量的选择 X射线和γ射线的使用选择（B） X射线能量的选择（B） γ射线源的选择（C） 4.2.3 考虑总的不清晰度的焦距最小值 理论计算（C） （C） （C） 各透照方式的灵敏度、缺陷检出特点、透照厚度差、裂纹检出角、便 4.3.2 一次透照长度计算 透照厚度比要求（A） 各透照方式的一次透照长度计算（A） 4.4 曝光曲线应用 4.4.1 曝光曲线的构成 a.（KV—T）曲线（B） b.（E—T）曲线（B） 各类曝光曲线的使用条件（B） 4.4.2 曝光曲线的制作（C） 4.4.3 曝光曲线的使用 点法确定曝光参数（A） 二点法确定曝光参数（A） 对角线法确定曝光参数（B） 4.5 散射线控制 4.5.1 散射线来源、分类（B） 4.5.2 散射线影响因素（C） 4.5.3 散射线的控制措施（B） 4.6 焊缝透照常规工艺 4.6.1 透照工艺卡和工艺规程的编制 通用工艺规程的编制（C） 编制透照工艺卡（C） 4.6.2 检测基本过程（B） 4.7 焊缝透照常规特定工艺 4.7.1 大厚度比拭件的透照技术 提高射线能量（C） 双胶片技术（C） 补偿技术（C） 4.7.2 小径薄壁管透照技术 透照布置（椭圆成象、重叠成象）（C） 透照厚度比（C） 透照次数（C） 象质要求（C） 4.8 室处理技术 4.8.1 显影液和定影液的成分、作用（C） 4.8.2 洗片过程 显影（B） 停显（C） 定影（B） 水洗（C） 干燥（C） 4.9 辐射防护 4.9.1 剂量的定义、单位及标准 照射量（C） 吸收剂量（C） 照射量和吸收剂量的关系（C） 剂量当量（B） 4.9.2 影响辐射损伤的因素 辐射性质（C） 剂量、剂量率（C） 照射方式、照射部位、照射面积（C） 4.9.3 辐射防护基本措施：监控、记录、剂量限值、屏蔽、距离、时间； 监控（C） 记录（C） 剂量限值（C） 屏蔽、距离、时间（B） 4.9.4 屏蔽、时间和距离的计算（B） 5. 射线照相底片评定及标准 5.1 评片要求 5.1.1 环境、设备和人员要求（C） 5.1.2 底片质量要求 灵敏度（B） 黑度（B） 标记（B） 伪缺陷（B） 背散射（B） 5.2 底片影象分析 5.2.1 缺陷影象识别 裂纹、未熔合、未焊透、夹渣、气孔（A） 其它（B） 5.2.2 常见伪缺陷影象识别 划痕、压痕、折痕、水迹（A） 其它（B） 5.2.3 表面几何影象识别：结构影象、焊接成型、形状缺陷、表面损伤（C）