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模拟电子的技术基本演示课件01—3讲义[晶体管]
三、晶体管的共射特性曲线 四、晶体管的主要参数 五、温度对晶体管的影响 六、光电三极管 作业1-2 P67: 1.15 P68: 1.18 * * Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 特性曲线：晶体管的各电极电压与电流之间的关系曲线。 ? （1）输入特性曲线： Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 由于发射结是正向偏置的PN结，所以它的曲线与PN结的曲线相似。 uCE增加时集电结反偏，发射区进入基区的电子更多地流向集电区，因此对应于相同uBE，流向基极的电流比原来时减小。所以曲线往右移动。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. （2）输出特性曲线： Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 发射结电压小于开启电压，且集电结反向偏置，此时 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 发射结电压大于开启电压，即发射结正向偏置，且集电结反向偏置，此时 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 发射结正向偏置，且集电结也正向偏置，此时 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 当υCE增加时，集电结上加的反向偏置电压也随之增加，当υCE增加到一定电压（V(BR)CEO）时，集电结被击穿， iC突然猛增。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 两个结都正偏，即 VbVe、VbVc(NPN) VbVe、VbVc(PNP) 发射结正偏，集电结反偏，即 VcVbVe(NPN) VcVbVe(PNP) 发射结反偏，即 VbVe(NPN) VbVe(PNP) Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电压分别为VA=6.7V，VB=6V，VC=9V。问：硅还是锗？管子是NPN还是PNP？A、B、C分别对应哪个极？ 管子工作在放大区 A对应基极、B对应发射极 VC最大 发射极和基极的电压降的绝对值或是0.7V（硅）或是0.2V（锗） 硅管；A和B对应基极和发射极 VA-VB=0.7V C肯定是集电极 NPN在放大区时VcVbVe PNP在放大区时VcVbVe NPN Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 测得NP
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