- 1、本文档共3页,可阅读全部内容。
- 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
2.5kA1.2kV两单元IGBT模块
1 前 言
以往的 Mega Power Dual渊MPD冤系列 IGBT模块
包括 1.4 kA/1.2 kV两单元模块袁可以方便地应用于大
功率工业设备遥 近年来袁随着新一代可再生能源如风
能和光电的发展袁需要更大的系统功率遥为了更好的
满足需求袁 三菱电机开发了 2.5 kA/1.2 kV 两单元
IGBT模块遥
2 结 构
2.1 端子布局
新型 MPD系列 IGBT模块的封装长度约为宽
度的两倍遥 主端子 P和 N分布在模块的同一侧袁交
流端子在模块的另一侧袁这样便于逆变器的设计遥信
号端子位于模块的中间区域袁 因此可以很方便地将
栅极驱动板直接置于模块顶部袁 也利于简化与分离
驱动板之间的连线遥
2.2 底板结构
图 1示出模块底板与液冷散热器的接触面示意
图遥由于底板面积变大袁底板和散热片之间的良好接
触成为一个难点遥 为了解决此问题袁 采用分段式底
板遥在高度方向袁模块外壳分为两个部分来承受由分
段底板造成的弯曲压力遥 这种结构允许对每一段底
板分别进行屏蔽测试袁 现有的小型器件测试设备即
可达到这个目的遥
在最大变频器功率的应用场合袁新型 MPD模块
的总功耗可达到 5 kW遥这种大功耗器件通常需要进
行液冷散热遥例如袁液冷散热水平为 5 kW/m2K遥由于
液冷系统的外壳温度相比风冷系统变化更快袁 其热
循环能力和热辐射能力非常重要遥在 5 kW/m2K的条
件下袁大约需要 400 cm2的液冷散热器遥
新型 2.5 kA/1.2 kV两单元 IGBT模块底板的尺
寸选择要充分考虑热辐射能力遥 另外袁液冷导致外
壳温度变化较大袁 有必要提高模块的热循环能力遥
铝基板直接连接绝缘基板可解决此问题遥 该底板结
构可免用底板和绝缘陶瓷之间的焊接层袁焊接层是
传统模块结构中导致热损坏的关键点之一遥 温度循
环压力可导致焊接层的劣化袁从而使影响模块寿命
的热阻 R th渊j鄄c冤变大遥 传统铜基板结构和铝基板结构
的热阻可通过仿真进行比较袁图 2示出两种结构的
剖面图遥
尽管铝的热传导率低于铜袁 但是铜底板结构与
铝底板结构的热阻值几乎相同袁 这归功于铝基板结
构没有焊接层遥
2.5 kA/1.2 kV两单元 IGBT模块
Ayumi Maruta袁 Mitsuharu Tabata
渊三菱电机功率器件福冈制作所袁 福冈 819-0192袁 日本冤
摘要院介绍一种工业用 2.5 kA/1.2 kV两单元 IGBT模块遥 在该大电流器件中袁P端到 N端的内部连线电感非常小遥 半
导体硅片的巧妙布局有效地提高了模块的散热能力袁采用铝底板直接连接绝缘基板用来提高热循环能力遥 对于这种
底板面积较大的器件袁为了获得更好的底板和散热片之间的热接触袁底板被分成几段遥 2.5 kA/1.2 kV两单元 IGBT模
块的封装同样适用于 1.8 kA/1.7 V两单元 IGBT模块遥
关键词院模块 / 绝缘栅双极型晶体管曰 载流子储存的沟槽栅双极晶体管曰 风能
中图分类号院TM32 文献标识码院A 文章编号院1000-100X渊2009冤10-0000-03
2.5 kA/1.2 kV Dual IGBT Module
Ayumi Maruta袁 Mitsuharu Tabata
渊Power Device Works袁 Mitsubishi Electric Corporation袁 Fukuoka 819鄄0192袁 Japan冤
Abstract院A 2.5 kA/1.2 kV dual IGBT module for industrial use is developed.Small inductance internal wiring structure
from P to N terminal is developed for the large current device.Semiconductor chips are arranged for the purpose of in鄄
creasing the cooling capability.An aluminium base plate with direct bonded insulation substrate is used for the purpose of
increasing thermal cycling capability.To achieve a better thermal contact between base plate and cooling fin for the large
base area device袁the base plate is separated into several sections.The 2.5 kA/
文档评论(0)