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2012高考物理联系实际类问题研究 “联系实际类”试题难点特征： 1．题目信息量大，文字叙述多，题干长。让人一看就感到费力难解。 2．物理情景新颖，与常规的物理情景相比让考生感到不知从何处下手。 3．物理模型难以建立。 4．开放性问题往往对数学方法有依赖。有的题目用到的数学方法不常用难以迁移。 5．自己的知识和方法积累不够从而造成做题困难。 “联系实际类”试题难点特征与应对策略 1．试题信息量大文字叙述多，题干长。给人第一印象就是费力难解。 应对策略 要有成熟的考试心理和一定的承受能力 联系实际类试题的物理模型往往较为简单，大部分文字只是基于生活背景和科技事件完整性、严密性的必要表达。这类试题往往是起点高但落点低，只要运用学过的对应物理知识即可顺利解决， 【案例】（2010北京）23．（18分）利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器，广泛应用于测量和自动控制等领域。如图1，将一金属或半导体薄片垂直置于磁场B中，在薄片的两个侧面a、b间通以电流I时，另外两侧c、f间产生电势差，这一现象称为霍尔效应。其原因是薄片中的移动电荷受洛伦兹力的作用向一侧偏转和积累，于是c、f间建立起电场EH，同时产生霍尔电势差UH。当电荷所受的电场力和洛伦兹力处处相等时，EH和UH达到稳定值，UH的大小与I和B以及霍尔元件厚度d之间满足关系式，其中比例系数RH称为霍尔系数，仅与材料性质有关。 ⑴设半导体薄片的宽度（c、f间距）为l，请写出UH和EH的关系式；若半导体材料是电子导电的，请判断图1中c、f哪端的电势高； ⑵已知半导体薄片内单位体积中导电的电子数为n，电子的电荷量为e，请导出霍尔系数RH的表达式、（通过横截面积S的电流I=nevS，其中v是导电电子定向移动的平均速率）； ⑶图2是霍尔测速仪的示意图，将非磁性圆盘固定在转轴上，圆盘的周边等距离地嵌装着m个永磁体，相邻永磁体的极性相反。霍尔元件置于被测圆盘的边缘附近。当圆盘匀速转动时，霍尔元件输出的电压脉动信号图像如图3所示。 a．若在时间t内，霍尔元件输出的脉冲数目为P，请导出圆盘转速N的表达式。 b．利用霍尔测速仪可以测量汽车行驶的里程。除此之外，请你展开“智慧的翅膀”，提出另一个实例或设想。 23．⑴UH=EHl c端电势高 ⑵RH= ⑶a． b．略 要有良好阅读习惯和审题技巧 审题就是弄清题目的含义，了解题目所涉及的物理现象、物理状态和物理过程，明确题目的已知条件和所求物理量，是解题者对题目信息的发现、辨认、转译的过程。一般说来，首先要对题目的文字和附图阅读两遍．读题时要先粗后细，由整体到局部再回到整体．即应先对题目有一个粗糙的总体认识然后再细致考察各个细节，最后对问题的整体建立起一幅比较清晰的物理图象． 审题的几个技巧 ①学会画草图。画草图是审题过程中必不可少的重要步骤。边读题边画过程草图实际上是思考分析的物理思维过程。画草图能把题目所给的文字叙述变成形象的图示，有助于弄清题意，找到解答的途径。可以说画草图既是审题过程中必不可少的重要步骤，也是降低题目难度的重要物理手段，善于画草图是一个同学成为物理高手的标志。 【案例】（2011）北京23．（18分）利用电场和磁场，可以将比荷不同的离子分开，这种方法在化学分析和原子核技术等领域有重要的应用。如图所示的矩形区域ACDG（AC边足够长）中存在垂直于纸面的匀强磁场，A处有一狭缝。离子源产生的离子，经静电场加速后穿过狭缝沿垂直于GA边且垂直于磁场的方向射入磁场，运动到GA边，被相应的收集器收集。整个装置内部为真空。 已知被加速的两种正离子的质量分别是m1和m2（m1m2），电荷量均为q。加速电场的电势差为U，离子进入电场时的初速度可以忽略，不计重力，也不考虑离子间的相互作用。 ⑴求质量为m1的离子进入磁场时的速率v1； ⑵当磁感应强度的大小为B时，求两种离子在GA边落点的间距s； ⑶在前面的讨论中忽略了狭缝宽度的影响，实际装置中狭缝具有一定宽度。若狭缝过宽，可能使两束离子在GA边上的落点区域交叠，导致两种离子无法完全分离。 设磁感应强度大小可调，GA边长为定值L，狭缝宽度为d，狭缝右边缘在A处。离子可以从狭缝各处射入磁场，入射方向仍垂直于GA边且垂直于磁场。为保证上述两种离子能落在GA边上并被完全分离，求狭缝的最大宽度。 23． ⑴ ⑵（提示：s是两种离子在磁场中运动的轨道直径之差） ⑶（提示：质量为m1的离子轨道直径最大为L-d；落到收集器上最右端的位置到CA的距离也为L-d；为了不交叠，质量为m2的离子轨道直径最大为L-2d。由和）两式左右分别相除，可得结论。） ②边画边写。有时反复读题也不能找到难点的突破口，但是若在画草图的同时写出各个过程满足的关系（或规律方程），并适时地推理计算，往往