存储器配置及上电引导.pptVIP

第5讲 F2812 存储器配置 F2812的片内存储器配置 外部存储器扩展 中断向量表 F2812的Boot Rom TMS320F2812存储器系统 F2812内部有128K字的FLASH，地址空间3D8000h～3F0000h，适用于低功耗、高性能的控制系统。 此外，F2812提供了外部存储器扩展接口(XINTF)，方便进行系统扩展，其寻址空间可以达到512 KB。 TMS320F2812存储器系统 F2812不同于F24xx系列DSP，它采用统一编址方式。芯片内部有18K SARAM，包括MO、M1、L0、L1、H0共5个存储块。各存储块保持独立，可以在同一机器周期对不同的RAM块进行访问，从而减少流水线时延。 统一编址特点：1.没有专用IN/OUT指令; 2. I/O地址占用数据存储器寻址空间; 3. 存取I/O指令统一用存储器存取指令。 存储器映像图 M0单存取RAM块（SARAM） M0是单存取RAM,覆盖240x device 的 B0, B1, B2 三个RAM 块空间(544)，M0地址范围 0x000040~0x00003FF(=960?16单元)960约等于1K,故称M0容量为1K ?16。 M0即可配置为程序RAM，也可配置为数据RAM，故M0可存放代码或变量。 与F240x兼容的中断向量表 M0的低端64个中断向量单元： 0x000000~0x00003F(40H?16)，每个向量占用2个16位单元，共可存放32个中断向量表。主要考虑2812与F240x兼容时，作为F240x的中断向量表。若工作在28x模式，该中断向量表不使用！ M1单存取RAM块( SARAM) M1地址范围： x0000400~0x00007FF=400H (=1024?16单元)=1K ?16单元。 故M1是完全的1K ?16 单存取RAM块。 M1即可配置为程序RAM也可配置为数据RAM。因此,M1可存放代码或变量。 L0单存取RAM块( SARAM) L0地址范围:0X008000~0X008FFF (长度=1000H=4096，4K ?16单元) L0即可配置为程序RAM也可配置为数据RAM。因此，L0可存放代码或变量。 L1单存取RAM块（SARAM） L1地址范围：0X009000~0X009FFF (长度=1000H=4096, 4K ?16单元) L1即可配置为程序RAM也可配置为数据RAM。因此，L1可存放代码或变量。 H0单存取RAM块( SARAM) H0地址范围:0X3F8000~0X3F9FFF (长度=2000H=8192，8K ?16单元) H0即可配置为程序RAM也可配置为数据RAM。因此，H0可存放代码或变量。 课堂讨论题一 1、F2812的片内5个存储器块既可配置为数据RAM，也可配置为程序RAM的目的是什么？既映射为数据RAM 或映射为程序RAM的目的是什么？ 2、M0、M1、L0、L1、H0除地址空间位置和大小不同外，L0、L1受代码安全模块（CSM）保护，而M0、M1、H0不受CSM保护，那CSM有什么功效？ 外设帧（PF0/1/2） 外设帧0（ Peripheral Frame 0，PF0） 外设帧1 （Peripheral Frame 1 ，PF1 ） 外设帧2 （Peripheral Frame 2 ，PF2） 是三个专用RAM 区域，是数据存储器映射外设寄存器定义区，用户不能作为程序空间。 PF0/1/2受ST1中EALLOW位控制，决定是否接受写保护。EALLOW=”1”时，不写保护。 EALLOW=”0”时，写保护。进入中断服务程序，硬件自动清零EALLOW，不允许写任何PF0/1/2寄存器。当中断返回时，硬件自动置EALLOW=“1”。 F2812的PIE中断向量表 与F240x兼容中断向量表位于0 0x0000003F。 （共计64个字单元） 而F2812的中断向量表（即PIE中断向量表）位于 0x0000 0D00~ 0x0000 0DFF。（共计256个字单元） 汇编指令“EALLOW” 功能：允许对2812写保护空间的写存取（Enable Write Access to Protected Space） 语法格式：EALLOW 操作结果：将ST1的状态位EALLOW置1。 若在中断服务程序中欲存取受写保护的外设寄存器时，就要执行EALLOW指令。 EALLOW的逆操作是EDIS指令，软件清零ST1的状态位EDIS 。 汇编指令“EDIS” 功能：禁止对2812写保护和仿真空间的写存取（Disable Write Access to Protected Registers） 语法格式：EDIS 操作结果：将