高速线线路安全.PDFVIP

Sunlord 引文 随着视 此产生了各 Thunderbo 技术背 对芯片 IC的性能与 就变得更加 损坏。另外 空气放电造 防护是非常 高传输 超 高 快 【高 频高清化 种高速， lt接口，D 景 而言，制 集成度， 敏感。ES ，大多数 成的 ESD 必要的。 速度要求 低的电容量 截止频率 速响应时间 速线 的发展，各 超高速传输 isplayPor 程工艺发展 并降低导通 D可能导致 高速接口（ 影响。由 ESD器件 路安全 类大容量存 接口，例 t接口等， 到 22nm 电压与尺 元器件内 尤其是 U 此可见，对 具有： 警卫 储设备的 如 USB3.0 这些超高传 ，14nm，到 寸，但由于 部线路受损 SB接口） 于在高速 -GES 出现，对传 /3.1接口、 输速率接 今年的 1 栅极氧化 ，影响正 都是热插拔 数据传输情 htt D器件 输速率提 HDMI1.3 口使用时需 0nm技术 层厚度也越 常使用寿命 系统，极 况下工作 p://www.sun 】 出了更高的 /1.4/2.0接 要进行 E ，工艺的进 来越薄， ，甚至造 易受到接触 的器件和接 要求，由 口、 SD防护。 步虽提升 IC对 ESD 成产品的 放电或者 口，ESD Sunlord 低钳位电压 顺络电子的 GESD系列 在此背景下，顺络电子开发的超低电容 GESD 系列玻璃陶瓷体静电抑制器可满足这类高 速接口的 ESD防护需求。 特点： 超低电容量，适用于超高速线路 超低漏电流（nA级别） 玻璃材料封装，耐高温特性好。 图 1.GESD系列电容量频率特性曲线 如图 1所示，GESD产品电容量随频率变化基本呈稳定状态。 Capacitance vs. Frequency 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1 1 10 100 1000 10000 Frequency (MHz) C ap ac ita nc e (p F) Sunlord 如图 2 如图 3 快速响应时 GESD 所示，GE 所示，GE 间（＜0.5 与 TV - - - - - A tte nu at io n (? ) 0 20 40 60 80 100 120 140 Vo lta ge (V ) SD系列产 SD系列产 ns）。 S性能比 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 1 -20 0 图 2.GES 品截止频 图 3.ESD@ 品具有低 较 Atte 10 ESD Wave 20 4 D系列截止 率超过 7.0 8KV限制 触发电压 V nuation vs 1 Frequen form(IEC61 0 60 Time 频率特性 GHz@-0. 电压波形 t（100-15 . Freque 00 cy (MHz) 00-4-2:8kV, 80 10 (ns) htt 曲线 3dB。 曲线 0V）、低钳 ncy 1000 Contact) 0 120 p://www.sun 位电压 Vc 10000 140 160 (＜30V)、 Sunlord 如表 1 显优于 TV 1. TV 属 2. TV 3. TV 而 性 GE 0.1 上 4. GE 产品信 产品应 所示，GE S。主要比 S 属于限压 于开关型间 S与 GES S属于 PN 且在降低电 使用要求。 SD封装材 pf，用于 。并且该产 SD因其结 息 用 SD用于 E 较分析如下 型 PN 结 隙导电特 D二者均属 结结构， 容量的同 料采用低 ESD防护 品 ESD防 构和制造 表 1.G SD防护时 ： 导电特性 性，内阻小 于隧道击 其电容只能 时，ESD承 介电常数 ，可达 7G 护无方向 技术，尺寸 ESD与 T ，在触发 ，因 PN 结 ，限制电 穿机理，其 到 0.3pf 受次数也 ，低损耗材 Hz@-0.3d 性。 可达到 0 VS对比表 电压，截止 存在固有电 压很低。 响应时间 ，用于 ES 被限制，无 料和功能材 B。同时其 .3*0.3*0.3m htt 频率，ES 阻，其限 均小于 0.5 D防护，达 法达到 1 料，致使 耐受 ESD m，产品 p://www.sun D承受次数 制电压较高 ns。 到 6.5GH 000次。T 其电容量最 能力可达 比 TVS更 等性能明 ，GESD z@-3dB。 VS具方向 大不超过 1000次以 小型。