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干蚀刻简介;一、干蚀刻的定义 二、干蚀刻的原理 三、干蚀刻的模式 四、干蚀刻设备结构 五、干蚀刻制程腔的构造;;干蚀刻的定义： 蚀刻，就是通过“电浆（Plasma）蚀刻”即干蚀刻或“湿式化学蚀刻”将显影后没有被光阻覆盖的薄膜去除，做出需要的线路图案； 干蚀刻，即将特定气体置于低压状态下施以电压，将其激发成电浆，对特定膜层加以化学性蚀刻或离子轰击，达到去除膜层的一种蚀刻方式； 简单的说，干蚀刻：去掉不想要的薄膜，留下想要的。;电浆是除固、液、气外，物质存在的第四态。;二、干蚀刻的原理;当电子与一个原子或分子相碰撞时，它会将部分能量传递给受到原子核或分子核束缚的轨道电子上。如果该电子获得的能量足以脱离核子的束缚，它就会变成自由电子，此过程称为粒子碰撞游离。 e- +A→A++2e- 离子化碰撞非常重要，它产生并维持电浆;当电子和分子碰撞时，如果因撞击而传递到分子的能量比分子的键合能量更高时，那就能打破化学键并且产生自由基。 e- +AB → A +B +e- 自由基是至少带有一个不成对电子的一种分子碎片，因此并不稳定。自由基在化学上是非常活泼的，因为它们有一种很强的倾向去抢夺其他原子或分子的电子以形成稳定的分子。;激发：碰撞传递足够多的能量而使轨道电子跃迁到能量更高的轨道的过程。 e- +A → A＊+e- 激发状态不稳定且短暂，在激发轨道的电子会迅速掉到最低的能级或基态，此过程称为松弛。激发的原子或分子会迅速松弛到原来的基态，并以光子的形式把它从电子碰撞中得到的能量释放出来。 A＊→ A + hν;干蚀刻中起作用的主要是自由基和正离子。自由基化学性质很活泼，很容易和膜表面分子发生反应，可达到膜层去除的作用。反应生成物作为废气被排出。 带正电的离子在电场的作用下几乎垂直撞向基板，轰击膜层表面的分子键合，促进自由基的化学反应，并使表面产生的反应物脱落。 干蚀刻是以自由基为主，还是以正离子为主。是根据使用的不同分为2种??? 物理性蚀刻 化学性蚀刻;;;干蚀刻模式;PE mode（Plasma Etching mode）;RIE mode (Reactive Ion Etching mode);ICP mode（Inductively Coupled Plasma ）;ECCP mode (Enhanced Capacitive coupled Plasma);P/C;A/A;VMB; 设备 保证部门设备稳定的生产及运行。 设备日常的点检、维护及保养。 设备重大异常改善。 设备定期的MQC test。 设备备品备件second source导入计划。 设备操作保养等SOP制定。 Parts管理。 工艺 工艺参数调整及产品异常改善。 新产品新技术导入计划。 产品异常处理流程制定。 产品管控流程、项目及规格制定。 产品规格监控及异常对应。 材料评估及实验。 ;Thank you!