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2.1 晶体管的基本概念 内容在第一章里 一、静态分析 VDD + uO ? iD VT ~ + ? uI VGG RG S D G RD 图 2.7.3 共源极放大电路原理电路 两种方法 近似估算法 图解法 (一) 近似估算法 MOS 管栅极电流为零,当 uI = 0 时 UGSQ = VGG 而 iD 与 uGS 之间近似满足 (当 uGS UT) 式中 IDO 为 uGS = 2UT 时的值。 则静态漏极电流为 (二) 图解法 图 2.7.4 用图解法分析共源极放大电路的 Q 点 VDD IDQ UDSQ Q 利用式 uDS = VDD - iDRD 画出直流负载线。 图中 IDQ、UDSQ 即为静态值。 二、动态分析 iD 的全微分为 上式中定义: —— 场效应管的跨导(毫西门子 mS)。 —— 场效应管漏源之间等效电阻。 1. 微变等效电路 二、动态分析 如果输入正弦信号,则可用相量代替上式中的变量。 成为: 根据上式做等效电路如图所示。 图 2.7.5 场效应管的微变等效电路 + + — — G D S 由于没有栅极电流,所以栅源是悬空的。 微变参数 gm 和 rDS (1) 根据定义通过在特性曲线上作图方法中求得。 (2) 用求导的方法计算 gm 在 Q 点附近,可用 IDQ 表示上式中 iD,则 一般 gm 约为 0.1 至 20 mS。 rDS 为几百千欧的数量级。当 RD 比 rDS 小得多时,可认为等效电路的 rDS 开路。 2. 共源极放大电路的动态性能 VDD + uO ? iD VT ~ + ? uI VGG RG S D G RD 图 2.7.6 共源极放大电路的微变等效电路 将 rDS 开路 而 所以 输出电阻 Ro = RD MOS 管输入电阻高达 109 ?。 - D + + - G S RG + - 2.7.3 分压—自偏压式共源放大电路 一、静态分析 (一)近似估算法 根据输入回路列方程 图 2.7.7 分压 - 自偏式共源放大电路 + ? VT + RG S D G RD R2 VDD + RL RS R1 C1 CS C2 + + + 解联立方程求出 UGSQ 和 IDQ。 + ? VT + RG S D G RD R2 VDD + RL RS R1 C1 CS C2 + + + 图 2.7.7 分压 - 自偏式共源放大电路 列输出回路方程求 UDSQ UDSQ = VDD – IDQ(RD + RS) (二)图解法 由式 可做出一条直线,另外,iD 与 uGS 之间满足转移特性曲线的规律,二者之间交点为静态工作点。确定 UGSQ, IDQ 。 根据漏极回路方程 在漏极特性曲线上做直流负载线, 与 uGS = UGSQ 的交点确定 Q,由 Q 确定 UDSQ 和 IDQ值。 UDSQ uDS = VDD – iD(RD + RS) 3 uDS/V iD/mA 0 1 2 15 2 V 10 5 uGS 4.5V 4V 3.5V UGSQ 3 V VDD Q IDQ uGS/V iD/mA O 2 4 6 1 2 Q IDQ UGSQ UGQ 图 2.7.8 用图解法分析图 2.7.7 电路的 Q 点 二、动态分析 微变等效电路入右图所示。 图 2.7.9 图 2.7.7 电路的微变等效电路 — D + + — G S + — 由图可知 电压放大倍数 输入、输出电阻分别为 2.7.4 共漏极放大电路 ——源极输出器或源极跟随器 图 2.7.10 源极输出器 典型电路如右图所示。 + VT + S D G R2 VDD + RL RS R1 C1 C2 + + ? RG 静态分析如下: 分析方法与“分压-自偏压式共源电路”类似,可采用估算法和图解法。 动态分析 1. 电压放大倍数 图 2.7.11 微变等效电路 — D + + - G S + — 而 所以 2. 输入电阻 Ri = RG + ( R1 // R2 ) 3. 输出电阻 图 2.7.11 微变等效电路 — D + + - G S ~ 在电路中,外加 ,令 ,并使 RL 开路 因输入端短路,故 则 所以 实际工作中经常使用的是共源、共漏组态。 2.8 多级放大电路 2.8.1 多级放大电路的耦合方式 三种耦合方式 阻容耦合 直接耦合 变压器耦合 一、阻容耦合 图 2.8.1 阻容耦合放大电路 C1 RC1 Rb1 +VCC C2 RL + ? + VT1 + ? + Rc2 Rb2 C3 VT2 + 第 一 级 第 二 级 优点: (1) 前、后级直流电路互不相通,静态工作点相互独立;
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