模电课后答案解读.doc

51模电课后答案 第二章 运算放大器 2.1 集成电路运算放大器 2.1.1答；通常由输入级，中间级，输出级单元组成，输入级由差分式放大电路组成，可以提高整个电路的性能。中间级由一级或多级放大电路组成，主要是可以提高电压增益。输出级电压增益为1，可以为负载提供一定的功率。 2.1.2答：集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成，线性区的直线的斜率即Vvo很大，直线几乎成垂直直线。非线性区由两条水平线组成，此时的Vo达到极值，等于V+或者V-。理想情况下输出电压+Vom=V+,-Vom=V-。 2.1.3答：集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆，输出电阻r约为100欧姆，开环电压增益Avo约为10^6欧姆。 2.2 理想运算放大器 2.2.1答：将集成运放的参数理想化的条件是：1.输入电阻很高，接近无穷大。2.输出电阻很小，接近零。 3.运放的开环电压增益很大。 2.2.2答：近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书P27。 2.3 基本线性运放电路 2.3.1答:1.同相放大电路中，输出通过负反馈的作用，是使Vn自动的跟从Vp，使Vp≈Vn，或Vid=Vp-Vn≈0的现象称为虚短。 2.由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象，而运放的输入电阻的阻值又很高，因而流经两输入端之间Ip=In≈0,这种现象称为虚断。 3.输入电压Vi通过R1作用于运放的反相端，R2跨接在运放的输出端和反相端之间，同相端接地。由虚短的概念可知，Vn≈Vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位，称为虚地。 虚短和虚地概念的不同：虚短是由于负反馈的作用而使Vp≈Vn,但是这两个值不一定趋向于零，而虚地Vp,Vn接近是零。 2.3.2答：由于净输入电压Vid=Vi-Vf=Vp-Vm,由于是正相端输入，所以Vo为正值，Vo等于R1和R2的电压之和，所以有了负反馈电阻后，Vn增大了，Vp不变，所以Vid变小了，Vo变小了，电压增益Av=Vo/Vi变小了。 由上述电路的负反馈作用，可知Vp≈Vn,也即虚短。由于虚地是由于一端接地，而且存在负反馈，所以才有Vp≈Vn=0. 2.3.3答：同相放大电路：1.存在虚短和虚断现象。 2.增益Av=Vo/Vi=1+R2/R1,电压增益总是大于1，至少等于1。 3.输入电阻接近无穷大，出电阻接近于零。 反相放大电路：1.存在虚地现象。 2.电压增益Av=Vo/Vi=-R2/R1,即输出电压与输入电压反相。 3.输入电阻Ri=Vi/I1=R1.输出电压趋向无穷大。 电路的不同：1.参考P28和P32的两个图。 2.根据上述各自的特征即可得出它们的区别。 2.3.4 参考书本图下面的分析和上述的特点区别。 2.3.5 答：电路的电压增益约为1，在电路中常作为阻抗变化器或缓冲器。 2.4 同相输入和反反相输入放大电路的其他应用 2.4.1各个图参考 P34-P41,各个电路的输出电压和输入电压的关系参考图下的分析。 2.4.2 成炜：最后一道题不会做，你们房间把它算下吧。谢了！(*^__^*) 嘻嘻?? 第三章 二极管 3.2.1答：空间电荷区是由施主离子，受主离子构成的。因为在这个区域内，多数载流子已扩散到对方并复合掉了，或者说耗尽了，因此有称耗尽区。扩散使空间电荷区加宽，电场加强，对多数载流子扩散的阻力增大，但使少数载流子的漂移增强；而漂移使空间电荷区变窄，电场减弱，又使扩散容易进行，故空间电荷区也称为势垒区。 3.2.2答：使PN结外加电压VF的正端接P区，负端接N区，外加电场与PN结内电场方向相反，此时PN出于正向偏置。 3.2.3答：增加。因为在外加反向电压产生的电场作用下，P区中的空穴和N区中的电子都将进一步离开PN结，使耗尽区厚度增加。 3.2.4答：只有在外加电压是才能显示出来。 3.2.5答：P67页。 3.3.1答：P71页 3.3.2 3.3.4答：P71页 3.3.5答：P71页 3.4.1答：P73页 3.4.2答：P74，76页 3.4.3答：P83页 第四章 4.1.1 不可以，因为BJT有集电区、基区和发射区。 4.1.2 不行。内部结构不同。 4.1.3 必须保证发射结正偏，集电结反偏。 反偏，都正偏。 4.1.4 发射区向基区扩散载流子，形成发射极电流IE。 IE=IEN+IEP,IC=ICN+ICBO 4.1.5（p106) 第一问没有找到；BJT输入电流Ic（或IE）正比于输入电流IE(或Ib)。如果能控制输入电流，就能控制输出电流，所以常将BJT成称为电流控制器件。 第四章 4.1.1 不可以，因为BJT有集电区、基区和发射区。 4.1.2 不行。内部结构不同。 4.1.3 必须保证发射结正偏，集电结反偏。 反偏，都正偏。 4.1.4 发射区向基区扩散载流子，形成发射极电流IE