数字电路讲义-第三章解读.ppt

三、其他逻辑功能的TTL们电路 （二）集电极开路与非门（OC门） 三、其他逻辑功能的TTL门电路 （三）三态门（TS门） 作业： P110-3.1 3.3 3.7 3.9 3.10 3.13 3.17 3.27 TTL与非门工作原理 电压传输特性 VOHmin VOLmax 电压传输特性 VOHmin VOLmax 返回 电压传输特性 VOHmin VOLmax 噪声容限 噪声容限 VOHmin VOLmax 噪声容限 VOHmin VOLmax 噪声容限 返回 （四）输入输出特性 1、输入特性: 输入端的电流iI随输入电压VI的变化关系。 （四）输入输出特性 2、输入负载特性： 输入电压VI与输入负载RI的特性曲线 VOHmin VOLmax （四）输入输出特性 3、输出特性 输出电压VO与负载电流iO的关系 （四）输入输出特性 3、输出特性 （四）输入输出特性 3、输出特性 L iOL （四）输入输出特性 3、输出特性 H iOH （四）输入输出特性 3、输出特性 返回 负载能力： 第四节 射极耦合逻辑门（ECL） 第四节 射极耦合逻辑门（ECL） 图 (a)所示是H型开路输出限定符号，表示该输出内部为“1”时(输出晶体管导通时)，外部输出H电平；该输出内部为“0”时，外部处于高阻抗状态用 Z 表示)。 第四节 射极耦合逻辑门（ECL） 图 (b)所示是L型开路输出限定符号，表示该输出内部为“0”时(输出晶体管导通时)，外部输出L电平；该输出内部为“1”时，外部处于高阻抗状态。 第四节 射极耦合逻辑门（ECL） 应该注意，开路输出限定符号虽然标注在符号框内，但它表示的是输出外部的状态。当开路输出符号给定时，例如 则不论输出端有否逻辑非或极性指示符号，其外部状态只有两种：处于高阻抗或者输出 H 电平。此时，只是外部状态所对应的内部逻辑状态有所不同。 从图3-4(a)可知，当输出端有逻辑非或极性指示符号时，输出外部状态所对应的内部逻辑状态与图3-3(a)正好相反，这里与外部处于高阻抗状态对应的内部逻辑状态是“1”，而内部逻辑状态为“0”时，外部输出H电平。开路输出符号是时，不论输出端有否逻辑非或极性指示符号，输出外部都只能处于高阻抗状态或输出 L 电平，见图3-3(b)和图3-4(b)。 第四节 射极耦合逻辑门（ECL） 二、特点 第四节 射极耦合逻辑门（ECL） 二、特点 1.由于工作非饱和状态，电阻取值较小 ，逻辑摆幅小，工作速度高； 2.互补输出，使用方便； 3.采用射极跟随器输出，输出阻抗低，负载能力强； 4.开关状态下电流基本不变，所以开关噪声低。 5. VOH与VEE无关，与VCC及射随器的射结电压有关 第四节 射极耦合逻辑门（ECL） 二、特点 1.由于工作非饱和状态，电阻取值较小 ，逻辑摆幅小，工作速度高； 2.互补输出，使用方便； 3.采用射极跟随器输出，输出阻抗低，负载能力强； 4.开关状态下电流基本不变，所以开关噪声低。 5. VOH与VEE无关，与VCC及射随器的射结电压有关 缺点： 1.噪声容限低 2.功耗大，不利于集成，主要用于高速系统。 第四节 射极耦合逻辑门（ECL） 第四节 射极耦合逻辑门（ECL） ?逻辑 线“或” ？ ？ ？ 第五节金属-氧化物-半导体逻辑门(MOSL) MOS：Metal-Oxide-Semiconductor Logic 一、NMOS门 源极 栅极 漏极 衬底 特点： Ri= Ro= 第五节金属-氧化物-半导体逻辑门(MOSL) MOS：Metal Oxide Semiconductor 一、NMOS门 负载电阻 ? ? ? 第五节金属-氧化物-半导体逻辑门(MOSL) 二、互补MOS门（Complementary MOS） 1.非门 NMOS PMOS 第五节金属-氧化物-半导体逻辑门(MOSL) 二、CMOS门（Comlementary MOS） 1.非门 第五节金属-氧化物-半导体逻辑门(MOSL) 二、CMOS门 二、CMOS门 2.或非门和与非门 二、CMOS门 2.或非门和与非门 二、CMOS门 3. CMOS传输门 Vc=L， L H L H TN TP截止 二、CMOS门 3. CMOS传输门 Vc=H， 若Vi=H，Vo=L TN 导通 H L H L TN TP都可能导通 H L 二、CMOS门 3. CMOS传输门 Vc=H， TN TP都可能导通 若Vi=L，Vo=H TP 导通 H L H L L H 二、CMOS门 3. CMOS传输门 H L H L 二、CMO