数字电子信号第7章解读.ppt

　　可编程ROM的发展已经改变了ROM最初的含义——只读存储器。PROM等都即具有读功能，又有写功能。特别是闪烁存储器的大容量、可读写、非易失性使之广泛应用于各种数码产品中。 第 7 章　半导体存储器 思考： ROM的定义为只读存储器，那么PROM、EPROM、EEPROM、FLASHROM等是否已经不再是ROM了呢？ 刚才介绍了ROM中的存储距阵， 下面将学习ROM中的地址译码器。 (二)地址译码器 (二) 地址译码器 　　从 ROM 中读出哪个字由地址码决定。地址译码器的作用是：根据输入地址码选中相应的字线，使该字内容通过位线输出。 例如，某 ROM 有 4 位地址码，则可选择 24 = 16 个字。 设输入地址码为 1010，则字线 W10 被选中，该 字内容通过位线输出。 存储矩阵中存储单元的编址方式 单译码编址方式 双译码编址方式 　　适用于小容量存储器。 　　适用于大容量存储器。 第 7 章　半导体存储器 又称单译码编址方式或单地址寻址方式 D1 ≈ D7 ≈ 地 址 译 码 器 0, 0 1, 0 31,0 31,1 0, 1 1, 1 A0 A1 A4 31,7 0, 7 1, 7 W0 W1 W31 D0 ≈ … … … … 单地址译码方式 32 ? 8 存储器的结构图 1. 单地址译码方式 　　一个 n 位地址码的 ROM 有 2n 个字，对应 2n 根字线，选中字线 Wi 就选中了该字的所有位。 　　 32 ? 8 存储矩阵排成 32 行 8 列，每一行对应一个字，每一列对应 32 个字的同一位。32 个字需要 5 根地址输入线。当 A4 ~ A0 给出一个地址信号时，便可选中相应字的所有存储单元。 例如，当 A4 ~ A0 = 00000 时，选中字线 W0，可将 (0，0) ~ (0，7) 这 8 个基本存储单元的内容同时读出。 基本单元为 存储单元 第 7 章　半导体存储器 A5 ≈ A7 ≈ 行地 址 译 码 器 W0 W1 W15 W31 W16 W17 A0 A1 A3 W255 W240 W241 X0 X1 X15 A4 ≈ … … … 双地址译码方式 256 字存储器的结构图 A2 列　地　址　译　码　器 A6 Y1 Y15 Y0 又称双译码编址方式或双地址寻址方式 地址码分成行地址码和列地址码两组 2. 双地址译码方式 基本单元为字单元 例如 当 A7 ~ A0 =时，X15 和 Y0 地址线均 为高电平，字W15 被选中，其存储内容被读出。 若采用单地址译码方式，则需 256 根内部地址线。 　　256 字存储器需要 8 根地址线，分为 A7 ~ A4 和 A3 ~ A0 两组。A3 ~ A0 送入行地址译码器，产生 16 根行地址线 ( Xi ) ； A7 ~ A4 送入列地址译码器，产生 16 根列地址线 ( Yi ) 。存储矩阵中的某个字能否被选中，由行、列地址线共同决定。 第 7 章　半导体存储器 （三）集成 ROM 举例 AT27 C010为美国Atmel公司生产的OTP EPROM。 第 7 章　半导体存储器 A16 ~ A0 为地址码输入端。 O7 ~ O0 为数据线，工作时为数据输出端，编程时为写入数据输入端。 VCC 和 GND：+5 V 工作电源和地。 VPP 为数据写入时的编程电压，编程时加 +13V 电压； 在读工作方式下采用 +5 V 电源，最短读出时间为45ns。 1、引脚图及其功能 CE 为片选信号：工作时为片选使能端，低电平有效。CE = 0 时，芯片被选中，处于工作状态。 OE 为输出时能信号，低电平有效。OE = 0 时，允许读出数据；OE = 1 时，不能读出数据。 第 7 章　半导体存储器 PGM为编程选通信号。 2、工作模式 第 7 章　半导体存储器 工作模式 读 0 0 × × 数据输出 输出无效 × 1 × × × 高阻 等待 1 × × × 高阻 快速编程 0 1 0 数据输入 编程校验 0 0 1 数据输出 上节课内容回顾： 第 7 章　半导体存储器 1、存储器的发展 2、半导体存储器的分类 3、固定ROM的电路结构 4、存储矩阵的存储单元 5、地址译码器的译码方式 D3 D2 D1 D0 4×4 二极管 ROM 结构图 地址译码器 A1 A0 地址码输入 字 线 信 号 位线输出信号 D3 D2 D1 D0 4 ? 4 二极管 ROM 结构图 地址译码器 A1 A0 地址码输入 字 线 信 号 位线输出信号 存储矩阵