第十章脉冲波形的产生和整形解读.ppt

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第十章 脉冲波形的产生和整形 本章内容 10.1 概述 其中: ?上升时间tr :脉冲上升沿从0.1Vm上升到 0.9Vm所需要的时间 占空比q :脉冲宽度与脉冲周期的比值,即q = tw /T 10.2 施密特触发器(Schmitt Trigger) 10.2.1 用门电路组成的施密特触发器 1.其工作原理 由叠加原理得 当vAVTH时,电路状态维持在vo=VOH= VDD不变 将VT+和VT-之间的差值定义为回差电压,用△VT表示,即 施密特触发器的两个输出电压传输特性为图10.2.3所示 2.施密特触发器的主要特点: 二、用于鉴幅 三、用于脉冲整形 例10.2.1 由CMOS反相器构成的施密特触发器如图10.2.2所示,设VTH=3V,VDD=6V,输入电压为峰-峰值6V的三角波。试画出输出电压vo的波形,注明VT+和VT-的大小,并求回差电压△VT。 其输出波形如图10.2.3所示 10.3 单稳态触发器 10.3.1 用门电路组成的单稳态触发器 a.无触发信号时,电路处于稳态,vo=0 当vI上升,vd也随之上升,当上升到VTH后,此时存在下列正反馈: c.电容充电,电路由暂稳态自动返回至稳态 随着vI2的增加,当增加到vI2=VTH,产生另一正反馈,即 此时电容C通过R和G2门的输入保护电路很快放电,知道电容电压为0,电路恢复到稳态。 输出的脉冲宽度为 二、 积分型单稳态触发器 其输出波形如图10.3.4所示 输出的脉冲宽度为 微分型单稳态触发器输出波形比较理想,前后沿比较陡,因为有正反馈存在,但抗干扰能力差;积分型单稳态触发器抗干扰能力强,但输出波形边沿比较差,而且要求输入触发脉冲的宽度要大于输出脉冲宽度。 10.3.2 集成单稳态触发器(74121) Cext和Rext为外接电容和外接电阻,通常Rext取值在2KΩ~ 30KΩ之间, Cext的取值在10pF~10μF之间,得到的脉冲宽度tW的范围为20ns~200ms。 输出脉冲宽度可由下面公式计算: 其典型外部连线方式如图10.3.7所示 目前使用的单稳态触发器有不可重复触发型和重复触发型两种。其波形如图10.3.9所示。 例10.3.1 由集成单稳态触发器74121组成的电路如图10.3.10所示,试定性画出输出端Q1和Q2的波形,并说明电路的功能。 解:第一片的A1=A2=v ?I, B=Q ?2,第二片的A1=A2= Q 1 , B= v I 当vI=0时,第一片A1=A2=1,其输出Q1=0;第二片的B=0, A1=A2=0,其输出Q2=0, Q?2=1 当vI跳变为高电平时,如图10.3.11所示,则第一片的A1、A2出现下降沿,而B= Q?2=1,故在Q1端输出一个正脉冲。 而第二片B=vI=1, A1=A2=Q1,则在Q1的下降沿, Q2输出正脉冲。而第一片的B= Q?2,则A1=A2=0,在Q?2上升沿的作用下,Q1输出一个正脉冲,电路不断振荡下去 10.4 多谐振荡器 2.产生自激振荡的条件: 故为了使反相器工作在放大状态,则要给它们设置适当的偏置电压,其数值在高、低电平之间。这个偏置电压可以由 RF 来设定。 此式是输出与输入的线性关系方程。 3. 工作情况分析 由于充电的速度比放电速度快,故vI2首先达到阈值电压VTH,并有下面的正反馈: 电路中各处的电压波形如图10.4.3所示。 10.4.2 非对称式多谐振荡器 2.工作情况分析 随着C放电,vI1下降,当vI1= VTH时,产生下面正反馈 其各处波形如图10.4.6所示 10.4.3 环形振荡器 工作原理: 振荡周期为 改进电路如图10.4.8所示,其中增加了RC积分环节,加大了第二节的延迟时间 但RC电路的充、放电的持续时间很短,为了获取更大的延迟,将C的接地端改到G1的输出端,如图10.4.9所示 各处的波形如图10.4.9所示 6.4.4 用施密特触发器构成的多谐振荡器 其输出波形如图10.4.11所示 为了可调节占空比,电路可修改为图10.4.12所示的电路。 10.4.5 石英晶体多谐振荡器 图10.4.12给出了石英晶体的外形、符号和电抗频率特性。 图10.4.13为对称式石英晶体多谐振荡器 10.5 555定时器 其图形符号和功能表如图10.5.2所示 2.各管脚的名称和功能 4-复位端,若此端输入一负脉冲,而使触发器直接复位。不用时加以高电平。 10.5.2 用555定时器接成的施密特触发器 其电压传输特性如图10.5.4所示。由图可知,这是个典型的反相输出的施密特触发器。 工作原理: 10.4.3 用555定时器接成的单稳态触发器 波形如图10.5.6所示其工作过程如下 当vI脉冲下降沿到达时,Q=1, Q ?=0,此

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