压敏电压-世纪电源网.ppt

限流电路 限流电路由R18、U5、C17、R9、R20、R21 组成。 工作原理：R18为回路的电流检测电阻，为了降低损耗，此电阻选择时尽量的小。U5为运算放大器LM358，358内部由两个运放，我们将两个运放一个做放大器，一个做比较器，将检测电阻上的电压值放大32.4倍后与基准电压做比较。当运放值低于基准值时，比较器输出高电平（358VCC电压），当运放值高于基准电压值时，比较器输出低电平（相对于接地）. 限流电路 比较器的输出为低电平后，光耦和431的节点电压会经过二极管导通到地，从而改变光耦发光管的回路电流，光耦光电管根据电流的大小反馈信息到PWM芯片，PWM芯片通过反馈信息调节占空比，降低输出电压来维持输出电流的大小，以此起到限流的目的。由于占空比调节的宽度有限，过低的电压超出了变压器正常工作的频点，实际应用中会出现变压器啸叫的情况，此状况可以调节补偿环路及变压器参数可以解决。 关于隔离器件—光耦 光耦全称是光电耦合器，英文名字是：optical coupler，英文缩写为OC，亦称光电隔离器，简称光耦。　　光耦隔离就是采用光电耦合器进行隔离，光耦合器的结构相当于把发光二极管和光敏(三极)管封装在一起。　　发光二极管把输入的电信号转换为光信号传给光敏管转换为电信号输出，由于没有直接的电气连接，这样既耦合传输了信号，又有隔离干扰的作用。 光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。 光耦的参数都是什么含义？CTR：发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值CTR=IC/ IF×100% （输出电流/输入电流*100%） 隔离电压：发光管和光敏三极管的隔离电压的最小值集电极－发射极电压：集电极－发射极之间的耐压值的最小值 最后总结 反激电源是生活中用到最多的电源，作为电子工程师来说熟悉和了解反激电源的组成结构和设计是非常必要的。 反激电源的设计难点在于变压器及反馈补偿环路。 反馈补偿环路的牵扯的内容太复杂，下次课针对此部分会和大家做详细的探讨。 本节课就讲到这里！ PWM IC 功能介绍 R11为IC工作频率调整电阻。 D2为辅助绕组供电整流二极管， R14为限流电阻， C5为低频滤波电容， C11为高频滤波电容， R3为过功电阻， R8为驱动电阻， R12 MOS开机保护电阻， C12为旁路电容， U3-B为光耦反馈端。 500V高压启动电路 电流控制模式 VCC具有过压保护功能 具备过载保护功能 500mA驱动能力 可调开关频率 内置谐波补偿电路 MOS管（开关管）的选择 MOS管的耐压选择： Vdss=2*Vdcmax DS极间耐压要是两倍的直流输入最大电压 MOS管的耐电流选择： Idrms=Iout*[1.2(Po/Vdcmin)/1-Dmax] Idrms:MOS所通过的电流有效值 Iout:输出电流 Po:输出功率 Vdcmin:最小输入直流电压值 Dmax：最大占空比 MOS的导通损耗计算 Psw=Idrms^2*Rds 有效电流值的平方乘上MOS内阻 变压器的简单设计 首先确定已知参数： 1）开关频率：Fsw； 2）变压器的效率：η； 3）最大占空比：Dmax； 4）输入电压范围：Vinmin,Vinmax 5）输出电压 Vout 6）输出电流Iout 7）K=0.4(DCM=1,CCM=0.3~0.5)； 8）输出二极管管压降Vf 9）辅助绕组电压Vb 10）辅助绕组二极管管压降Vfb 设计步骤一 输入功率 Pin=(Vout*Iout) η 输入电流平均值 Iin_avg=Pin/(√2*Vinmin*Dmax) 初级电感量Lp=(√2*Vinmin*Dmax)^2/2*Pin*Fsw*K 纹波电流 ⊿I= √2*Vinmin*Dmax/Lp*Fsw 设计步骤二 再确认参数 根据设计功率和结构空间选择磁芯 选好磁芯确定磁芯材质选出ui值 确定材质找出相对温度的Bs(饱和磁通密度)一般选择60°相对的Bs. 找出Ae（磁芯实际截面面积）、Acw（磁芯总卷线截面面积）、Ve（磁芯实效体积）值 设计步骤三 计算输入电流峰值Ipk=(Iin_avg*⊿I/2)*1.2 计算AP值 AP=Ae*Acw 计算初级圈数确认选择 NP1= (√2*Vinmin*Dmax)/ui*Fsw*Ae NP2=LP*Ipk/Bs*Ae NP= | NP1 if NP1NP2 | NP2 otherwise 匝比的计算 n=[D